Analiza elektrycznych własności struktur MIS na bazie GaAs orazSi w oparciu o metodę spektroskopii impedanacyjnej

• Autorzy: Kochowski S. , Szydłowski M.

Warianty tytułu

EN

An analysis of electrical properties of GaAs and Si MIS structure using impedance spectroscopy method

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Obiektem badań były struktury Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs oraz Al-SiO2-Si wykonane na bazie półprzewodników typu p. Wykonano pomiary pojemności i konduktancji struktur w szerokim zakresie częstotliwości i napięć polaryzacji bramki. Pokazano możliwość opisania charakterystyk admitancyjnych struktur w oparciu o układ równoważny. W układzie równoważnym procesy prowadzące do częstotliwościowej dyspersji charakterystyk reprezentowane są przez element stałofazowy (CPE) połączony szeregowo z rezystancją. Dla różnych napięć bramki wyznaczono parametry układu równoważnego oraz stałe czasowe opisujące procesy elektronowe w badanych

EN

The Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs and Al-SiO2-Si structu-res both with p-type semiconductors have been investigated. The measurements of the capacitance-voltage characteristics at different frequencies have been performed as well as frequency dependence of MIS capacitance and conductance at fixed gate voltages. The electrical equivalent circuits which allow to describe obtained characteistics in a simple way has been presented. They contain constant phase elements (CPE) in series with resistors. The parameters of these circuits have been estimated at different gate voltages as well as the characteristic time constants, which describe the electron processes res in observed frequency behaviour of admittance characteristics,

Słowa kluczowe

PL

Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs; Al-SiO2-Si; półprzewodniki typu p; struktury MIS

EN

Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs; Al-SiO2-Si; p-type semiconductors; MIS structure

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe. Matematyka - Fizyka / Politechnika Śląska
• Rocznik: 2004
• Tom: z. 91
• Strony: 199--212
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., rys.

Twórcy

autor

Kochowski S.

autor

Szydłowski M.

• Instytut Fizyki Politechnika Śląska Krzywoustego 2 44-100 Gliwice

Bibliografia

• 1. N. N. Berchenko, Y. V. Medvedev, Russian Chem. Rev. 68 (1994), 623-639.
• 2. W. Bogusz, F. Krok, Elektrolity stałe - właściwości elektryczne i sposoby ich pomiaru, WNT, Warszawa 1995.
• 3. H. Hasegawa, Thin Solid Films 367 (2000), 58-67.
• 4. A. Jakubowski, K. Iniewski, Solid State Electronics 26 (1983), 755-756.
• 5. C. Jungemann, B. Meinerzhagen, M. Eller, IEEE Trans. Electron Dev. Lett. 20 (1999), 283-285.
• 6. S. Kochowski, Analiza powierzchniowych procesów elektronowych w strukturze metal-Si02-GaAs, Zesz. Nauk. Pol. Śl. Mat.-Fiz. 88 (2001).
• 7. S. Kochowski, K. Nitsch, Thin Solid Films 415 (2002), 133-137.
• 8. S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, Thin Solid Films 444 (2003), 208-214.
• 9. S. Kochowski, M. Nowak, Acta Phys. Polon. A69 (1986), 517-524.
• 10. D. C. Look, Electrical characterization of GaAs materials and devices, John Wiley &; Sons, New York 1989.
• 11. J. R. Macdonald, Impedance Spectroscopy, John Wiley & Sons, New York 1987.
• 12. E. H. Nicollian, J. R. Brews, MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology, John Wiley & Sons, New Jersey 2003.
• 13. K. Nitsch, Zastosowanie spektroskopii impedancyjnej w badaniach materiałów elektronicznych, Oficyna Wyd. Pol. Wroc., Wrocław 1999.
• 14. D. K. Schroder, Semiconductor material and device characterization, John Wiley &; Sons, New York 1990.
• 15. A. Szaynok, S. Kuźmiński, Podstawy fizyki powierzchni półprzewodników, WNT, Warszawa 2000.
• 16. S. C. Witczak, J. S. Suehle, M. Gaitan, Solid State Electronics 35 (1992), 345-355.