PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Badanie kinetyki wzrostu epitaksjalnych warstw lateralnych dla zastosowań fotowoltaicznych

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Kinetics of the ELO layer growth for photovoltaics application
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań dotyczących kinetyki wzrostu warstw epitaksjalnych otrzymywanych techniką ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth – lateralny wzrost warstw epitaksjalnej). Omówiona została metoda przeprowadzenia eksperymentu. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu tj. szybkości chłodzenia, rozmiarów okien Si, na kinetykę wzrostu lateralnego na podłożu krzemowym.
EN
Epitaxial Lateral Overgrowth (ELO) may be promising technique in photovoltaics application due to possibility of producing high quality Si epitaxial layers on silicon substrates. The advantage of this method is that density of the dislocations in new layer is less than in the substrate. The main goal of this method is to obtain as wide and as thin structures as possible. For this reason our research was concentrated on technological parameters of the growth process and its influences on width of the layer.
Twórcy
autor
autor
autor
Bibliografia
  • [1] S. Pietruszko.; Światowy Rynek Fotowoltaiki. Centrum Fotowoltaiki, 2009.
  • [2] http://www.elektroenergetyka.org/
  • [3] Koch W., Endros A. L. et al. ; Bulk Crystal Growth and Wafering for PV w Handbook of Photovoltaic Science and Engineering (ed. Antonio Luque, Steven Hegedus), Wiley, 2003.
  • [4] Olchowik J.M.; Cienkie warstwy w strukturach baterii słonecznych, Wydawnictwo Uczelniane Politechniki Lubelskiej, Lublin 2004.
  • [5] Herman M.A.; Krystalizacja warstw epitaksjalnych: pojęcia i problemy podstawowe (Ed. K. Sangwal), Wydawnictwo Wyższej Szkoły Pedagogicznej w Częstochowie, Częstochowa 1990.
  • [6] K. Borkowski.; Epitaksja z fazy ciekłej we: Wzrost kryształów. (ed. K. Sangwal) Wyd. Wyższej Szkoły Pedagogicznej w Częstochowie, Częstochowa, 1990.
  • [7] Dost S., Lent B.; Single Crystal Growth of Semiconductors from Metallic Solution. Elsevier, Amsterdam 2007.
  • [8] Zytkiewicz Z. R.; Dobosz D., Liu Y. C., Dost S. Cryst. Res. Technol. 40, No 4/5, 321-328 (2005).
  • [9] Zytkiewicz Z. R.; Thin Solid Films 412 (2002) 64-75.
  • [10] Nishinaga T.; Cryst. Res. Technol. 31, 92 (1991).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BTB6-0009-0036
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.