Detekcja kanałów bocznikujących w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych z wykorzystaniem badań termowizyjnych

• Autorzy: Cieślak K. , Gułkowski S. , Olchowik J. , Kozak B. , Wiśniewski M.

Warianty tytułu

EN

Hot spots detection in thin layer solar cells by infrared thermography

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono analizę badań termowizyjnych do detekcji kanałów bocznikujących w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych. Analizowane ogniwa słoneczne zostały wytworzone na bazie cienkich, monokrystalicznych warstw krzemowych. Warstwa krzemu została nanoszona na podłoże przy zastosowaniu metody epitaksji z fazy ciekłej (Liquid Phase Epitaxy – LPE) [1] i stanowiła warstwę aktywną ze złączem p-n w ogniwie słonecznym. Ze względu na specyfikę wzrostu, na brzegach warstw mogą pojawiać się kanały bocznikujące, co powoduje spadek wydajności fotoogniw. Żeby zlokalizować i wyeliminować niekorzystne obszary fotoogniwa, w badaniach zastosowano analizę termowizyjną powierzchni fotoogniw i ablację laserową [2].

EN

Solar cells were fabricated on the base of thin silicon monocrystalline layers obtained in liquid phase epitaxy process (LPE). Modification of LPE was introduced – growing substrate was covered with SiO2 and growing windows was opened in dielectric cover. Specificity of growth on that kind of substrate introduces some crystallographic defects on the edge of the sample. After solar cells fabrication these deformations can make “hot spots” which decrease solar cell performance. In order to localize this areas infrared thermography examination was introduced and UV laser was used to eliminate it from a solar cell.

Słowa kluczowe

PL

ogniwo fotowoltaiczne; warstwa aktywna; proces fotolitografii; wzrost literalny; kanał zwarciowy; lokalizacja; usuwanie laserem

EN

photovoltaic solar cell; active layer; photolitography process; epitaxial lateral overgrowth; hot spot; localization; elimination by laser

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Rzeszowskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
• Rocznik: 2012
• Tom: z. 59, nr 2/II/I
• Strony: 131--136
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., il.

Twórcy

autor

Cieślak K.

autor

Gułkowski S.

autor

Olchowik J.

autor

Kozak B.

autor

Wiśniewski M.

• Politechnika Lubelska,

Bibliografia

• [1] Capper P., Irvine S., Joyce T., Epitaxial Crystal Growth: Methods and Materiale In Springer Handbook of Electronics and Photonic Materiale, Springer, 2006,
• [2] Simon M., Meyer E. L., Detection and analysis of hot-spot formations in solar cells, Solar Energy Materials and Solar Cells, 94:106 – 113, 2010,
• [3] Suzuki Y., Nishinaga T., Epitaxial lateral overgrowth of Si by LPE with Sn solution and its orientation dependence, Japanese Journal of Applied Physics, 28:440-445, 1989,
• [4] Kraiem J., Fave A., Kaminski A., Lemiti M., Jóźwik I., Olchowik J. M., 18th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1158-1161, 2004,
• [5] Nishinaga T., Microchanel epitaxy: an overview, journal of Crystal Growth, 237-239:1410-1417, 2002,
• [6] Green M. A., Keevers M. J., Optical properties of intrinsic silicon at 300K, Progres in Photovoltaics: Research and applications, 3:189-192, 1995,