Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Modelling of thin epilayer growth for photovoltaic applications
Języki publikacji
Abstrakty
Przedstawione zostały rezultaty komputerowego modelowania wzrostu cienkich warstw epitaksjalnych otrzymywanych z roztworu. Obliczenia szybkości wzrostu interfejsu warstwy prowadzone były w oparciu o strumienie dyfuzyjne składnika Si rozpuszczonego w roztworze binarnym Si-Sn. Cienkie warstwy epitaksjalne otrzymywane metodą LPE mogą prowadzić do obniżenia kosztów produkcji ogniw fotowoltaicznych, co ma fundamentalne znaczenie w badaniach nad technologią otrzymywania energii ze źródeł odnawialnych.
This work presents results of calculation of the concentration profiles of Si in the Si-Sn rich solution. Influence of the stream of silicon on concentration gradients near the interface and growth rate in normal and lateral direction has been presented. Aspect ration of the grown layer has been calculated. Technology of the obtaining thin epitaxial layer can lead to decrease the total cost of silicon solar cells production. It is a great of importance for obtaining energy form renewable sources.
Rocznik
Tom
Strony
205--210
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz., il.
Twórcy
Bibliografia
- [1] Lewandowski W.; Proekologiczne źródła energii odnawialnej, WNT, 2002
- [2] Klugmann E.; Klugmann-Radziemska E.; Ogniwa i moduły fotowoltaiczne oraz inne niekonwencjonalne źródła energii, Wydawnictwo Ekonomia i Środowisko, 2005
- [3] red. Pietruszko S.; Światowy Rynek Fotowoltaiki, Centrum Fotowoltaiki, 2009
- [4] Koch W., Endros A. L. et al.; Bulk Crystal Growth and Wafering for PV w Handbook of Photovoltaic Science and Enginieering pod redakcją Antonio Luque'a i Steven'a Hegedus'a, Wiley, 2003
- [5] Olchowik J.M.; Cienkie warstwy w strukturach baterii słonecznych, Wydawnictwa Uczelniane Politechniki Lubelskiej, 2004
- [6] Zytkiewicz Z. R.; Thin Solid Philms, 412 (2002) 64
- [7] Jóźwik I, Olchowik J.M.; Materials Science-Poland, Vol. 24, No. 4, 2006
- [8] Jóźwik I., Olchowik J.M.; Journal of Crystal Growth 294 (2006) 367-372
- [9] Yan Z., Naritsuka S., Nishinaga T.; Journal of Crystal Growth 209 (2000) l - 7
- [10] Liu Y. C., Zytkiewicz Z. R., Dost S.; Journal of Crystal Growth 275 (2005) e953-e957
- [11] Dost S., Lent B.; Single Crystal Growth of Semiconductors from Metallic Solutions, Elsevier 2007
- [12] http://www. crct.polymtl.ca/fact/documentation/SGTE/SGTE_Figs.htm
- [13] Gułkowski S, Cieślak K., Olchowik J. M.; Symulacje komputerowe wzrostu warstw epitaksjalnych w Technologie informacyjne w zastosowaniach, Wydawnictwo PSW, 2009
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BTB2-0062-0067