PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Microcomputer system for measuring thermal parameters of a class of semiconductor devices and integrated circuits
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W pracy przedstawiono opracowany i uruchomiony przez autorów oryginalny system mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych - rezystancji termicznej i przejściowej impedancji termicznej elementów półprzewodnikowych i układów scalonych, zawierających dostępne dla uzytkownika złącze p-n. System ten składa się z czterech zasadniczych bloków funkcjonalnych: komputera zawierającego moduł przetwornika analogowo-cyfrowego, układu polaryzacji badanego elementu, układu automatycznego sterowania oraz programu zarządzającego. Omówiono literaturowe rozwiązania układów do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych, przedstawiono koncepcję systemu oraz budowę i zasadę działania poszczególnych bloków. Przydatność opracowanego systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych elementów półprzewodnikowych.
EN
The paper presents the original, elaborated and worked out by the authors the microcomputer system for measuring the thermal parameters of semiconductor devices with p-n junction and integrated circuits. This system consists of four essential blocks: the computer, including an analogue-to-digital converter card, the circuit of polarisation of the tested device, the circuit of autoamtic controlling and controlling software MASTER1. The Sec.1 of this paper the literature connected with circuits for the measurement of thermal resistance and transient thermal impedance is reviewed. The successive sections present the conception of the measurement system, building and the principle of work of all blocks. Some results of the measurements of thermal resistance and transient thermal impedance of the selected semiconductor devices are presented as well.
Słowa kluczowe
Rocznik
Strony
379--396
Opis fizyczny
Bibliogr. 37 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
  • Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni
autor
  • Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni
Bibliografia
  • 1. Oettinger F. F., Blackburn D. L.: Semiconductor Measurement Technology: Thermal Resistance Measurements, U. S. Department of Commerce, NIST/SP-400/86, 1990.
  • 2. Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
  • 3. Azar K.: Meeting the Thermal Challenge, Electronics Cooling, Vol. 5, No. 2, 1999, p. 1.
  • 4. Górecki K.: Elektrotermiczny makromodel tranzystora Darlingtona do analizy układów elektronicznych. Praca doktorska, Politechnika Gdańska, 1999.
  • 5. Kołodziejski J., Spiralski L., Stolarski E.: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKiŁ, Warszawa 1990.
  • 6. Rubin S., Oettinger F.: Thermal Resistance Measurement on Power Transistors. National Bureau of Standards, NBS 400-14, U.S. Dept. of Commerce, 1979.
  • 7. Janicki M., Kawka P., De Mey G., Napieralski A.: IGBT Hybrid Module Thermal Measurements and Simulations. 8th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2001, Zakopane, 2001, p. 249.
  • 8. Górecki K., Zarębski J.: Badanie charakterystyk termometrycznych elementów półprzewodnikowych ze złączem p-n. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr 4, 2001, s. 395.
  • 9. Kowalski K., Więckowski A., Chaciński H.: Miernik rezystancji termicznej diod pin dużej mocy. Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki, Nr 107/108, Warszawa, 1988, s. 13.
  • 10. Nowakowski A.: Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zesz. Nauk. Polit. Gdańskiej, Elektronika LX, nr 389, 1984.
  • 11. Glinianowicz J., Christiaens F., Beyne E., Staszak Z.: Measurement Circuits for Transient Thermal Characterisation on Power Transistors and Transformers, XVII-th National Conference Circuit Theory and Electronic Networks, Wrocław - Polanica Zdrój, 1994, p.359.
  • 12. Lisik Z., Michalski T., Szczepaniak Z.: Pomiar rezystancji cieplnej bipolarnych tranzystorów mocy Darlingtona. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, 1994, 40, z. 3, s. 369.
  • 13. Székely V., Rencz M., Courtois B.: Thermal investigations of ICs and microstructures, Sensors and Actuators A Physical, Vol. A 71, No. 1-2, Nov. 1998, p. 1.
  • 14. Székely V.: Thermal testing and control by means of built-in temperature sensors. Electronics Cooling, Vol. 4, No. 3, September 1998, p. 36.
  • 15. Székely V., Rencz M., Courtois B.: Thermal investigations of IC’s and microstructures, Microelectronics Journal Vol 28, No 3, p. 205, 1997.
  • 16. Székely V., Nikodemusz E., Pohl L., Rencz M.: New Developments in Thermal Transient Testing. 8th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2001, Zakopane, 2001, p. 265.
  • 17. Janke W., Jurewicz A.: Fast Measurements of Bipolar Transistor Thermal Resistance by D.C. Method. Workshop Microtechnology and Thermal Problems in Electronics, Zakopane 1998, p. 34.
  • 18. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.: Wpływ sposobu zamocowania tranzystora na jego rezystancję termiczną, VI Konferencja Naukowa „Technologia Elektronowa” ELTE’97, Krynica 1997, t. 1., s. 708.
  • 19. Stepowicz W.J., Zarębski J., Górecki K.: Thermal Performance of the Selected Monolitic and Hybrid Circuits, Proceedings of the 20-th ISHM Poland, Jurata Sept. 15-18, 1996, International Society for Hybrid Microelectronics Poland Chapter, Wrocław 1997, p. 263.
  • 20. Stepowicz W.J., Zarębski J., Górecki K.: Wpływ wybranych czynników na rezystancję termiczną elementów półprzewodnikowych. IX Sympozjum „Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki” PPEE’2000, Wisła, 2000, s. 54.
  • 21. Napieralski A., Zarębski J., Górecki K., Furmańczyk M.: Pomiar rezystancji i przejściowej impedancji termicznej inteligentnego układu scalonego MOS mocy. Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia 1998, s. 42.
  • 22. Zarębski J., Górecki K.: Mikrokomputerowy system pomiarowy do wyznaczania rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego. Pomiary, Automatyka, Kontrola, Nr 9, 1993, s. 209.
  • 23. Zarębski J., Górecki K.: System mikrokomputerowy do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych metodami impulsowymi. XXV Międzyuczelniana Konf. Metrologów MKM’93, Gliwice - Ustroń 1993,. s. 357.
  • 24. Zarębski J., Górecki K.: Pomiar rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego metodą impulsową z przełączaniem kierunku polaryzacji złącza. XXVI Międzyuczelniana Konf. Metrologów MKM’94, Zesz. Nauk. WSI w Opolu, Nr 203, Elektryka, t. II, z. 40, Opole, 1994, s. 147.
  • 25. Zarębski J., Górecki K.: System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych. IX Kraj. Konf. Naukowo-Techniczna „Zastosowanie mikroprocesorów w automatyce i pomiarach”, Warszawa, 1994, s. 117.
  • 26. Przyrządy półprzewodnikowe. Tranzystory bipolarne. Metody pomiaru parametrów. Polska Norma PN 92/T-O1208/03.
  • 27. Blackburn D.L., Oettinger F.F.: Transient Thermal Response Measurements of Power Transistors. IEEE Trans. Ind. Electron. Contr. Instr., May 1976, Vol. IECI-22, No. 2, p. 134.
  • 28. Zarębski J., Górecki K.: Układ do pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora bipolarnego. Patent RP nr 173831.
  • 29. Zarębski J.: Nowe metody pomiaru rezystancji termicznej elementów ze złączem p-n, Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia, 1998, s. 32.
  • 30. Zarębski J., Górecki K.: A Method of the BJT Transient Thermal Impedance Measurement with the Double Junction Calibration. Proc. 11-th IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium (SEMI-THERM), San Jose (USA), 1995, p.80.
  • 31. Górecki K., Zarębski J.: Impulsowe metody pomiaru parametrów termicznych tranzystora Darlingtona mocy. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. 7, z.3, 2000, s. 287.
  • 32. Górecki K., Zarębski J.: Układ do automatycznego pomiaru nieizotermicznych charakterystyk statycznych elementów półprzewodnikowych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. 7, z. 1, 2000, s. 45.
  • 33. Székely V.: Identification of RC Networks by Deconvolution: Chances and Limits, IEEE Transactions on Circuits and Systems-I, Vol. 45, No. 3, March 1998, p. 244.
  • 34. Zarębski J., Górecki K.: Thermal Transients in Bipolar Transistors; Measurements and Simulations. Int. Conf. on Information, Systems Methods Applied to Engineering Problems, Malta 1993, Vol. 2, p. 111.
  • 35. Napieralski A.: Komputerowe projektowanie układów półprzewodnikowych mocy ze szczególnym uwzględnieniem ich właściwości termicznych. Zesz. Nauk. Polit. Łódzkiej, 1988, nr 562.
  • 36. Hefner A.R., Blackburn D.L.: Simulating the Dynamic Electrothermal Behaviour of Power Electronic Circuits and Systems. IEEE Trans. on Power Electr., Vol. 8, No. 4, Oct. 1993, p. 376.
  • 37. Kos A.: Modelowanie hybrydowych układów mocy i optymalizacja ich konstrukcji ze względu na rozkład temperatury. Wydawnictwo AGH, Kraków, 1994.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BSW9-0010-1937
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.