Badanie charakterystyk termometrycznych elementów półprzewodnikowych ze złączem p-n

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

Investigation of the thermometric characteristics of semiconductor devices with p-n junction

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy charakterystyk termometrycznych u(T) elementów półprzewodnikowych, zawierających dostępne dla użytkownika złącza p-n. Zaproponowano nową zależność opisującą postać oraz nachylenie rozważanych charakterystyk dla rzeczywistego złącza p-n przy uwzględnieniu dotychczas pomijanych zjawisk drugorzędnych, takich jak prąd generacyjno-rekombinacyjny, rezystancja szeregowa oraz samonagrzewanie, a także okreslono zakres zmian prądu pomiarowego zapewniający liniowość charakterystyk termomerycznych. Przeanalizowano wpływ wybranych parametrów modelu złącza na przebieg rozważanych charakterystyk. Rozważania teoretyczne zilustrowano wynikami obliczeń i pomiarów charakterystyk termometrycznych wybranych elementów półprzewodnikowych.

EN

In the paper, the thermometric characteristics of semiconductor devices with p-n junction are considered. The new dependence describing the slope of the considered characteristics for the real p-n junction is proposed. In this dependence, the second order phenomena, like the generation-recombination current, the series resistance and the selfheating are taken into account. The range of the measurement current, for which the thermometric characteristics are linear, is determined. The influence of the selected p-n junction model parameters on the considered characteristics course is analysed. The theoretical considerations are illustrated by measurement and calculation results.

• Wydawca: Komitet Metrologii i Aparatury Naukowej PAN
• Czasopismo: Metrology and Measurement Systems
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 8, nr 4
• Strony: 397--411
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

• Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni

autor

Zarębski J.

• Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni

Bibliografia

• 1. Oettinger F. F., Blackburn D. L.: Semiconductor Measurement Technology: Thermal Resistance Measurements, U. S. Department of Commerce, NIST/SP-400/86, 1990.
• 2. Przyrządy półprzewodnikowe. Tranzystory bipolarne. Metody pomiaru parametrów. Polska Norma PN-92/T-01208/03.
• 3. Kołodziejski J., Spiralski L., Stolarski E.: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKiŁ, Warszawa, 1990.
• 4. Janke W.: Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. WNT, Warszawa 1992.
• 5. Gut Cz.: Dokładność tranzystorowego czujnika temperatury. III Krajowa Konferencja Teoria Obwodów i Układy Elektroniczne, Stawiska, 1979, s. 215.
• 6. Nowakowski A.: Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zesz. Nauk. Polit. Gdańskiej, Elektronika LX, nr 389, 1984.
• 7. Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe WSM w Gdyni, Gdynia, 1996.
• 8. Zarębski J., Górecki K.: Problem doboru wartości prądu pomiarowego przy wyznaczaniu rezystancji termicznej tranzystora Darlingtona mocy metodą Rubina. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. 6, z. 3, 1999, s. 205.
• 9. Górecki K., Zarębski J.: Problem jednopunktowej kalibracji charakterystyk termometrycznych rzeczywistego złącza p-n. Krajowy Kongres Metrologii KKM, Warszawa, 2001, t. 1, s. 99.
• 10. Marciniak W.: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa, 1984.
• 11. Kuźmicz W.: Projektowanie analogowych układów scalonych. WNT, Warszawa 1981.
• 12. The Design Center. Analysis-Reference Manual Version 5.1, MicroSim Corp., 1992.
• 13. Zarębski J., Górecki K.: Algorytm estymacji wartości parametrów elektrotermicznego stałoprądowego makromodelu tranzystora Darlingtona mocy. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 46, z. 3, 2000, s. 299.