Pomiar wzmocnienia napięciowego scalonych wzmacniaczy operacyjnych CMOS w zakresie temperatur od 4,2 K do 300 K

• Autorzy: Pająkowski J.

Warianty tytułu

EN

Open loop gain measurement of CMOS Operational Amplifiers of range from 4,2 K to 300 K

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule opisane jest badanie wzmacniaczy operacyjnych CMOS w zakresie temperatur od 4,2 K do 300 K. Charakterystyczną cechą wzmacniaczy operacyjnych CMOS jest histereza wejściowego napięcia niezrównoważenia dla pracy wzmacniacza przy otwartej pętli sprzężenia zwrotnego. W artykule opisany jest sposób, który pomimo istnienia histerezy wejściowego napięcia niezrównoważenia, pozwala na wykonanie pomiarów wzmocnienia napięciowego wzmacniaczy operacyjnych CMOS.

EN

The article describes study of the CMOS operational amplifiers within the temperatures ranging from 4,2 K to 300 K. The characteristic feature of CMOS operational amplifiers is hysteresis of input offset voltage for performance of amplifiers with open loop feedback. The method presented allows conducting measurements of voltage gain of CMOS operational amplifiers despite this hysteresis.

Słowa kluczowe

PL

wzmacniacze operacyjne; niskie temperatury; CMOS

EN

operational amplifiers; low temperatures; CMOS

• Wydawca: Wydawnictwo PAK
• Czasopismo: Pomiary Automatyka Kontrola
• Rocznik: 2008
• Tom: R. 54, nr 6
• Strony: 371--373
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., tab., wzory

Twórcy

autor

Pająkowski J.

• Katedra Systemów Telekomunikacyjnych i Optoelektroniki, Politechnika Poznańska,

Bibliografia

• [1] W. Nawrocki, S. Michalak, J. Pająkowski: Operational Ampli-fiers and Bipolar Transistors at 77K. Eighteenth International Cryogenic Engineering Conference (ICEC18), Mumbai, India, 2000
• [2] W. Nawrocki, J. Pająkowski: Operational Amplifiers in the Temperature Range from 300 to 4K. XX International Cryogenic Engineering Conference, Pekin 2004, Elsevier 2005, Oxford.
• [3] J. A. Swenson, K. D. Baker: CMOS operational amplifier per-formance at cryogenic temperatures, Cryogenics, no. 2, vol. 33, 1993.
• [4] E. A. Gutierrez-D., M. Jamal Deen, C. L. Claeys: Low temperature electronics, physics, devices, circuits and applications, Academic Press San Diego, 2001