Metody analizy szumu telegrafistów przyrządów półprzewodnikowych

• Autorzy: Cichosz J. , Konczakowska A. , Stawarz-Graczyk B. , Szatkowski A.

Warianty tytułu

EN

Methods of analysis of random telegraph signal noise (RTS noise) of semiconductor devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Scharakteryzowano szum telegrafistów (Random Telegraph Signal - RTS), który może występować w szumie własnym przyrządów półprzewodnikowych, jako składowa niegaussowska. Podkreślono, że szum telegrafistów jest efektem defektów materiałów zastosowanych w produkcji przyrządów półprzewodnikowych lub nieprawidłowości procesu produkcyjnego. Przedstawiono metody identyfikacji wielopoziomowego szumu telegrafistów, na przykładzie przebiegów szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych.

EN

The Random Telegraph Signal noise which can occur in inherent noise of semiconductor devices as a non-Gaussian component is characterized. It was emphasized that the RTS noise is caused by defects of applied materials or manufacturing incorrectness. The methods of identification of multilevel RTS noise in an inherent noise of semiconductor devices are presented.

Słowa kluczowe

PL

szum telegrafistów; metody identyfikacji szumu telegrafistów; przetwarzanie cyfrowe szumu

EN

random telegraph noise signal; methods of RTS noise identification; digital processing of noise

• Wydawca: Wydawnictwo PAK
• Czasopismo: Pomiary Automatyka Kontrola
• Rocznik: 2008
• Tom: R. 54, nr 3
• Strony: 91--94
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Cichosz J.

autor

Konczakowska A.

autor

Stawarz-Graczyk B.

autor

Szatkowski A.

• Wydział Elektroniki , Telekomunikacji i Informatyki, Politechnika Gdańska,

Bibliografia

• [1] C. Claeys, E. Simoen.: Noise as a diagnostic tool for semiconductor material and device characterization. J. Electrochem. Soc., vol. 145, no 6, 1998, pp. 2058-2067.
• [2] M. A. Abdala, B. K. Jones: Correlation between trap characterization by low frequency noise, mutual conductance dispersion, oscillations and DLTS in GaAs MESFETs. Solid-State Electronics, vol. 35, no 12, 1992, pp. 1713-1719.
• [3] A. Konczakowska: Szumy z zakresu małych częstotliwości. Metody pomiaru, astosowanie do oceny jakości przyrzadów półprzewodnikowych. Akademicka Oficyna Wydawnicza EXIT, Warszawa, 2006.
• [4] T. G. M. Kleinpenning: On 1/f noise and random telegraph noise In very small electronic devices. Physica, vol. B164, 1990, pp. 331-334.
• [5] L. K. J. Vandamme, M. Macucci: I/f and RTS noise in submicron devices: Faster is noisier, UPoN 2005. AI P Conference Proceedings. vol. 800, 2005, pp. 436-443.
• [6] J. Cichosz, A. Szatkowski: Sposób wykrywania szumów wybuchowych, zwłaszcza w przyrządach elektronicznych. Zgłoszenie patentowe P 375610, czerwiec 2005.
• [7] J. Cichosz, A. Szatkowski: Noise scattering patterns method for recognition of RTS noise in semiconductor components. Proc. of the 18th Inter. Conf. Noise and Fluctuations ICNF'2005. Salamanca, Spain, 19-23 September 2005, pp.673-676.
• [8] A. Konczakowska, J. Cichosz, A. Szewczyk, B. Stawarz: Identification of optocoupler devices with RTS noise. Fluctuation and Noise Letters, vol. 6, no 4, 2006, pp. L395-L404.
• [9] J. Cichosz, A. Szatkowski: Identyfikacja i przetwarzanie cyfrowe sygnałów szumów RTS występujących w przyrządach półlprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki, nr 21, Gdansk 2005, s. 29-37.
• [10] J. Cichosz, A. Konczakowska, A. Szatkowski: A method of identification of RTS components in noise signals. Metrology and Measurements Systems, vol. 13, no 4, 2006, pp. 373-382.