System optoelektroniczny do kontroli procesów ΜPA CVD

• Autorzy: Bogdanowicz R. , Gnyba M. , Wroczyński P. , Leśniewski M.

Warianty tytułu

EN

Optoelectronic system for control of ΜPA CVD processes

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono prototyp optoelektronicznego systemu do monitorowania in-situ procesu CVD, wspomaganych plazmą mikrofalową. System składa się z układu optycznej spektroskopii emisyjnej OES oraz specjalizowanego spektroskopu ramanowskiego RS. Umożliwia on równoczesne monito-rowanie składu plazmy oraz określanie dynamiki wzrostu i zawartości defektów warstwy. Przedstawiono wyniki badań przebiegu procesu wytwarzania warstw diamentopodobnych DLC. Wyniki monitorowania mogą być wykorzystywane do sterowania procesem.

EN

Prototype of optoelectronic monitoring system dedicated for in-situ diagnostics of microwave plasma assisted CVD processes was presented in this paper. The system uses optical emission spectroscopy OES and long-working-distance Raman spectroscopy RS. Such an approach enables simultaneous investigations of particle composition of the plasma and nucleation processes in the growing layer (growth ratio, phase defects). Thus, correlation between process parameters, plasma composition and layer quality can be determined. Results of investigation carried out for thin diamond-like-carbon DLC films synthesis process were presented. Obtained results can be used for efficient control of CVD process.

Słowa kluczowe

PL

spektroskopia emisyjna; spektroskopia ramanowska; CVD; diagnostyka optyczna in-situ; warstwy diamentopodobne

EN

optical emission spectroscopy; Raman spectroscopy; CVD; in situ optical diagnostics; diamond-like carbon films

• Wydawca: Wydawnictwo PAK
• Czasopismo: Pomiary Automatyka Kontrola
• Rocznik: 2008
• Tom: R. 54, nr 3
• Strony: 87--90
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Bogdanowicz R.

autor

Gnyba M.

autor

Wroczyński P.

autor

Leśniewski M.

• Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki, Politechnika Gdańska,

Bibliografia

• [1] Y. Lifshiz, X. M. Meng, S. T. Lee, R. Akhveldiany, A. Hoffman: Phys. Rev. Lett., 93, s. 2717-2720, 2004.
• [2] J. Petherbridge, P. May, S. Pearce, K. Rosser, M. Ashfold: J. Appl. Phys., Vol. 89, Number 215, s. 1484, 2001.
• [3] S. Ida, T. Tsubota, O. Hirabayashi, M. Nagata, Y. Matsumoto, A. Fujishimac: Diam. and Rel. Mat., 12, s. 601-605, 2003.
• [4] S. Leea, Z. Linb, X. Jiangc: Materials Sciences and Engineering. 25, s. 123-154, 1999.
• [5] M. Frenklach, K. E. Saper: J. Master Res., 3, s. 133-140, 1988.
• [6] M. Tsuda, M. Nakajima, S. Oikawa: Jpn. J. Apel. Phys., 26, s. 527-529, 1987.
• [7] R. manukonda, R. Dillon, T. Furtak: J. Vac. Sci. Technol., A, 13, s. 150, 1995.
• [8] H. C. Barshilia, V. D. Vankar: J. Appl. Phys., 80, s. 3694, 1996.
• [9] R. Bogdanowicz, M. Gnyba, P. Wroczyński: J. Phys. IV, 137, s. 57, 2006.
• [10] R. Chen, S. Rangan, J. Spanos: Proc. IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing Conference, D9, 1997.
• [11] A. Herman, P. Wroczyński: Adv. Sci. and Technol., 6, s. 141, 1995.
• [12] I. Sobelman: Atomic Apectra and Radiative Transitions (Berlin, Springer-Verlag), 1992.
• [13] M. Gnyba, R. Bogdanowicz: Eur. Phys. J. ST, 144, s. 209, 2007.
• [14] K. Fabisiak: Analiza defektów w cienkich, polikrystalicznych warstwach diamentowych otrzymywanych metodami CVD, Wydawnictwo UMK, Toruń, 1994.