Tytuł artykułu
Treść / Zawartość
Pełne teksty:
Identyfikatory
Warianty tytułu
Optoelectronic system for control of ΜPA CVD processes
Języki publikacji
Abstrakty
Przedstawiono prototyp optoelektronicznego systemu do monitorowania in-situ procesu CVD, wspomaganych plazmą mikrofalową. System składa się z układu optycznej spektroskopii emisyjnej OES oraz specjalizowanego spektroskopu ramanowskiego RS. Umożliwia on równoczesne monito-rowanie składu plazmy oraz określanie dynamiki wzrostu i zawartości defektów warstwy. Przedstawiono wyniki badań przebiegu procesu wytwarzania warstw diamentopodobnych DLC. Wyniki monitorowania mogą być wykorzystywane do sterowania procesem.
Prototype of optoelectronic monitoring system dedicated for in-situ diagnostics of microwave plasma assisted CVD processes was presented in this paper. The system uses optical emission spectroscopy OES and long-working-distance Raman spectroscopy RS. Such an approach enables simultaneous investigations of particle composition of the plasma and nucleation processes in the growing layer (growth ratio, phase defects). Thus, correlation between process parameters, plasma composition and layer quality can be determined. Results of investigation carried out for thin diamond-like-carbon DLC films synthesis process were presented. Obtained results can be used for efficient control of CVD process.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
87--90
Opis fizyczny
Bibliogr. 14 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
- Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki, Politechnika Gdańska, robert.bogdanowicz@eti.pg.gda.pl
Bibliografia
- [1] Y. Lifshiz, X. M. Meng, S. T. Lee, R. Akhveldiany, A. Hoffman: Phys. Rev. Lett., 93, s. 2717-2720, 2004.
- [2] J. Petherbridge, P. May, S. Pearce, K. Rosser, M. Ashfold: J. Appl. Phys., Vol. 89, Number 215, s. 1484, 2001.
- [3] S. Ida, T. Tsubota, O. Hirabayashi, M. Nagata, Y. Matsumoto, A. Fujishimac: Diam. and Rel. Mat., 12, s. 601-605, 2003.
- [4] S. Leea, Z. Linb, X. Jiangc: Materials Sciences and Engineering. 25, s. 123-154, 1999.
- [5] M. Frenklach, K. E. Saper: J. Master Res., 3, s. 133-140, 1988.
- [6] M. Tsuda, M. Nakajima, S. Oikawa: Jpn. J. Apel. Phys., 26, s. 527-529, 1987.
- [7] R. manukonda, R. Dillon, T. Furtak: J. Vac. Sci. Technol., A, 13, s. 150, 1995.
- [8] H. C. Barshilia, V. D. Vankar: J. Appl. Phys., 80, s. 3694, 1996.
- [9] R. Bogdanowicz, M. Gnyba, P. Wroczyński: J. Phys. IV, 137, s. 57, 2006.
- [10] R. Chen, S. Rangan, J. Spanos: Proc. IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing Conference, D9, 1997.
- [11] A. Herman, P. Wroczyński: Adv. Sci. and Technol., 6, s. 141, 1995.
- [12] I. Sobelman: Atomic Apectra and Radiative Transitions (Berlin, Springer-Verlag), 1992.
- [13] M. Gnyba, R. Bogdanowicz: Eur. Phys. J. ST, 144, s. 209, 2007.
- [14] K. Fabisiak: Analiza defektów w cienkich, polikrystalicznych warstwach diamentowych otrzymywanych metodami CVD, Wydawnictwo UMK, Toruń, 1994.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BSW4-0049-0002