Diagnostyka stanu procesu syntezy związku półprzewodnikowego na podstawie pomiarów pośrednich

• Autorzy: Orzyłowski M. , Łobodziński W. , Rudolf Z. , Kałużniacki T. , Nowicki G. , Sawicki J. P. , Zych M.

Warianty tytułu

EN

The semiconductor compounds synthesis diagnostics based on indirect measurements

• Konferencja: Konferencja Naukowa Systemy Pomiarowe w Badaniach Naukowych i w Przemyśle SP`04 (5; 2004; Zielona Góra; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Synteza związków półprzewodnikowych jest przeprowadzana w warunkach wysokiej temperatury i ciśnienia. W urządzeniu produkcyjnym nie ma możliwości bezpośredniego pomiaru zmiennych procesu wewnątrz reaktora. Dla zapewnienia bezpieczenśtwa pracy zastosowano system autodiagnostyczny, bazujący na modelu odniesienia, opisanym jako przebiegi mierzalnych pośrednich zmiennych procesu.

EN

The synthesis of semiconductor compounds is processed in high temperature and pressure. The direct measurement of process variables inside of the reactor of the production system is unfeasible. For safety of the process the autodiagnostics based on the reference model described as the schedule of the changes of the measurable indirect process variables is applied.

Słowa kluczowe

PL

diagnostyka; proces syntezy związku półprzewodnikowego; pomiary pośrednie

EN

semiconductor; synthesis diagnostics based; indirect measurements

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów PIAP
• Czasopismo: Pomiary Automatyka Robotyka
• Rocznik: 2004
• Tom: R. 7, nr 7-8
• Strony: 108--111
• Opis fizyczny: Bibliogr., 4 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Orzyłowski M.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Łobodziński W.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Rudolf Z.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Kałużniacki T.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Nowicki G.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Sawicki J. P.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Zych M.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

Bibliografia

• [1] Matsumoto C.: Startup hits 80 Gbit/s with indium phosphide chips, EE Times (EDTN), 24 January 2002.
• [2] Lamers, D.: Indium Phosphide, The Art of Change: Technologies for Designing Our Future, EE Times, September 12, 2002.
• [3] Derbyshire K.: Prospects Bright for Optoelectronics, Semiconductor Manufacturing Magazine, March 2002, Vol. 3, No. 3.
• [4] Orzyłowski M., Rudolf Z., Witowski A., Machalica P.: Systemy monitorowania i eliminowania zagrożeń bezpieczeństwa w procesach wytwarzania związków półprzewodnikowych, Elektronika, 2004, [przyjęte do druku].