Badanie charakterystyk półprzewodnikowych termorezystancyjnych przetworników pomiarowych z kryształami nitkowymi

• Autorzy: Bajcar R. , Gingin M. , Stolarczuk P. G. , Dąbek Z.

Warianty tytułu

EN

Research of characteristics semiconductors thermoresistor measurement converters with wiskers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wyniki badań charakterystyk półprzewodnikowych termorezystancyjnych przetworników pomiarowych przemieszczenia lub innej wielkości mierzalnej, która może być sprowadzona do przemieszczenia. Wykorzystanie półprzewodnikowych mikrokryształów umożliwia zmiejszenie rozmiarów czujnika i zwiekszenie jego szybkości działania w porównaniu z klasycznymi czujnikami mechatronowymi.

EN

The classic of thermoresistor converters which can be transform moving or other mechanical parameter which can be transformed in moving is considered in article. Using of semiconductor microcrystal enables to reduce the size of the gauge and to increase its speed in comparison with classical mechanotronic converters.

Słowa kluczowe

PL

przetworniki pomiarowe termorezystancyjne; termistory; kryształy nitkowe

EN

characteristics semiconductors thermoresistor measurement converters; wiskers

• Wydawca: Wydawnictwo PAK
• Czasopismo: Pomiary Automatyka Kontrola
• Rocznik: 2004
• Tom: R. 50, nr 12
• Strony: 18--21
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., wzory

Twórcy

autor

Bajcar R.

• Katedra Metrologii, Standaryzacji i Certyfikacji, Politechnika Lwowska

autor

Gingin M.

• Katedra Metrologii, Standaryzacji i Certyfikacji, Politechnika Lwowska

autor

Stolarczuk P. G.

• Katedra Metrologii, Standaryzacji i Certyfikacji, Politechnika Lwowska

autor

Dąbek Z.

• Akademia Techniczno-Rolnicza w Bydgoszczy

Bibliografia

• [1] Baitsar R., Vainberg V., Varshava S.: Application of semiconductor whisker crystals in low temperature electronics. Journal de Physique IV, V. 6, 1996.
• [2] Baitsar R. I., Varsawa S. S., Ostrowskaja A. S., Krasnozenow E. R.: Połucenije i nekotoryje swojstwa nitevidnych kristałłov tverd. Rastvora Si-Ge. Taganrog: TGRU. Tezisy dokładov Vserossijskoj naucno-techniceskoj konfercncji s mezd. ucas. „Aktualnye problemy tverdotelnoj elektroniki i mikroelektroniki", c. I, 1994.
• [3] Baitsar R. I., Varsawa S. S., Krasnozenow E. P., Ostrowskaja A. S.: Elekiromechaniceskie, tepłovye i fotoelektriceskie preobrazovateli na osnove monokrisiałłov Si-Ge. Neorganiceskie matriały 1996. - T. 32, - nr 7, - s. 789-793.
• [4] Baitsar R., Varshava S., Ostrovski I., Trots T.: Investigation of growth and doping of Si-Ge whiskers of their application in microelectronics. Proceedings 2-nd Int. Symp. On Microelectronics Technologies and Microsystems, Lviv Polytechnic State University, 1998, p. 163-167.