Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

Application of the pirometric methods for the thermal resistance of power transistors measurements

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy pomiarórw rezystancji termicznej wybranych tranzystorów mocy przy wykorzystaniu metod pirometrycznych. Zamieszczono szereg wyników pomiarów tego parametru w funkcji mocy wydzielanej w elemencie, uzyskanych przy zastosowaniu różnych radiatorów obudów i orientacji przestrzennej badanych tranzystorów. Zbadano również nierównomierność przestrzennego rozkładu temperatury w badanej strukturze.

EN

In this paper the problem of measurements of the thermal resistance (Rth) of the selected power transistors with the use of the pirometric method is considered. The measuremental results Rth of bipolar transistors 2N3055 and MOS transistors IRF840 for the dissipated power changing as well as for the various kinds of device cases the temperature distribution on the chip has been estimated.

Słowa kluczowe

PL

pomiary rezystancji termicznej tranzystorów; metody pirometryczne

EN

application of pirometric methods; thermal resistance; power transmitors measurements

• Wydawca: Wydawnictwo PAK
• Czasopismo: Pomiary Automatyka Kontrola
• Rocznik: 2003
• Tom: R. 49, nr 1
• Strony: 41--44
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

• Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wydział Elektryczny, Akademia Morska w Gdyni

autor

Zarębski J.

• Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wydział Elektryczny, Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• [1] A. Nowakowski: Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, Elektronika, Zeszyt LX, Gdańsk, 1985.
• [2] J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. Warszawa, WKL. 1990.
• [3] K. Górecki, J. Zarębski: System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. Metrologia t Systemy Pomiarowe, Nr 4, 2001, s. 379.
• [4] J. Zarębski: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe WSM w Gdyni, Gdynia, 1996.
• [5] K. Górecki: Elektrotermiczny makro model tranzystora Darlingtona do analizy układów elektronicznych. Praca doktorska, Politechnika Gdańska, 1999.
• [6] K. Górecki, J. Zarębski: Pomiary rozkładu temperatury na powierzchni struktury tranzystorów Darlingtona mocy. Elektronizacja, Not-Sigma, Warszawa, nr 12, 2000, s. 13.
• [7] G. Rudowski: Termowizja i jej zastosowanie, WKiŁ, Warszawa, 1978.
• [8] Thermovision 900 Series, User`s Manual, Agema Infrared Systems.
• [9] T. Suchenia, M. Szczerkowski: Badanie wpływu mocowania wybranych elementów półprzewodnikowych na ich rezystancje termiczną. Praca dyplomowa inżynierska, Wydział Elektryczny, Akademia Morska w Gdyni, 2002.
• [10] W. Minkinia, P. Rutkowski, W. Wild: Podstawy pomiarów termowizyjnych. Część I - Istota tertnowizji i historia jej rozwoju. PAK, Nr 1, 2000, s. 7.
• [11] W. Minkinia, P. Rutkowski, W. Wild: Podstawy pomiarów termowizyjnych. Część II - Współczesne rozwiązania systemów termowizyjnych, błędy pomiaru. PAK, Nr 1, 2000, s. 11.
• [12] A. Nowakowski i inni: Postępy termografii aplikacje medyczne. Wyd. Politechniki Gdańskiej, Gdańsk 2001.
• [13] Instrukcja obsługi kamery termograficznej serii V-20. Vigo-System, Warszawa 2001.
• [14] M. Rzeczkowski: Bezkontaktowe pomiary temperatury. Kamera termograficzna V-20, PAK, Nr 4, 2002, s. 23.
• [15] Low frequency transistors. Low frequency power transistors. Semiconductors and integrated circuits. M. B. L. E. Electronics,. Part 2, 1974.