Identyfikatory
Warianty tytułu
Otrzymywanie cienkich powłok Cu dla elektroniki metodą stałoprądowego rozpylania magnetronowego
Języki publikacji
Abstrakty
The results of the DC magnetron sputtering of copper thin films with different parameters of deposition are presented. The main aim of studies was to determine the influence of current value, time of deposition and target-substrate distance on morphology and grain size of obtained copper thin films. The effects of film's thickness on the resistivity of copper thin films were investigated. The influence of parameters on the rate of deposition was also determined. The possibility of application of resulting films for contact surface in electronic components was discussed. The morphology was characterized by AFM method, the size of Cu deposited grains was calculated using Scherrer's method. The WDXRF method was used for estimate of thickness of sputtered films. The resistivity of obtained films was measured using four probe method.
W pracy przedstawiono wyniki badan nad wpływem parametrów napylania magnetronowego cienkich warstw Cu na ich własnosci. Głównym celem przeprowadzonych badan było okreslenie wpływu natezenia pradu, czasu osadzania, odległosci pomiedzy targetem a napylana powierzchnia na wielkosc ziarna oraz morfologie cienkich warstw. Przeprowadzono równiez badania nad wpływem grubosci warstwy na jej opór własciwy. Omówiona została mozliwosc stosowania warstw nanoszonych ta metoda w przemysle elektronicznym. Morfologie otrzymanych warstw charakteryzowano przy uzyciu mikroskopu AFM. Wielkosc ziarna oszacowana została na podstawie wzoru Scherrera. Grubosc warstw wyznaczono technika WDXRF. Do pomiarów oporu własciwego wykorzystano metode pomiaru czteropunktowego.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
903--908
Opis fizyczny
Bibliogr. 21 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
autor
autor
- Laboratory Of Physical Chemistry And Electrochemistry, Faculty Of Non-Ferrous Metals, AGH University Of Science And Technology, 30-059 KrakóW, 30 Mickiewicza Av., Poland
Bibliografia
- [1] Copper in Electrical Contacts, CDA Publication 23 (1997).
- [2] A. A. Volinsky, J. Vella, I. S. Adhihetty, Mater. Res. Soc. Symp. 649, Q5.3.1-Q5.3.5., (2001).
- [3] A. Radisic, O. Luhn, H. G. G. Philipsen, Microelectronics Engineering, (2010), Article in press.
- [4] J. L. Mermet, M. J. Mouche, F. Pires, J. Phys. IV 05(C5) 517 (1995).
- [5] N. Nevolin, A. V. Zenkevich, X. Ch. Lai, Laser Physics 11(7), 824 (2001).
- [6] D. R. Gibson, I. T. Brinkley, E. M. Waddell, Society of Vacuum Coaters 151(505), 856 (2008).
- [7] H. Cztermastek, O-ER12(1), 49 (2004).
- [8] M. S. Merchant, S. H. Kang, M. Sanganeria, JOM 53(6), 43-48 (2001).
- [9] S. Swann, Physics in Technology 19, 67 (1988).
- [10] P. Tyagi, A. G. Vedeshwar, Bull. Mater. Sci. 24(3), 297-300 (2001).
- [11] M. Vopsaroiu, M. J. Thwaitesa, G. V. Fernandez, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 7(5), 2713-2720 (2005).
- [12] A. A. Meier, D. I. Levinzon, Measurment Techniques 8(5), 427-429 (2005).
- [13] B. D. Culity, Elements of X-ray Diffraction. Addison-Wasley Publishers, Massachusetts (1978).
- [14] K. Fuchs, Proc. Cambridge Philos. Soc. 34, 100 (1938).
- [15] E. H. Sondheimer, Adv. Phys. 1, 1 (1952).
- [16] A. F. Mayadas, M. Shatzkes, Phys. Rev. B 1, 1382 (1970).
- [17] V. Thomsen, Basic Fundamental Parameters in X-Ray Fluorescence, Spectroscopy 22(5), (2007).
- [18] J. W. Lim et al., Applied Surface Science 217, 95-99 (2003).
- [19] T. Sun, B. Yao, A. P. Warren, et. al., Phys. Rev. B 81, 155454 (2010).
- [20] N. Paik, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 229, 436-442 (2005).
- [21] B. Kucharska, E. Kulej, Archives of Metallurgy and Materials 55, 1, 45 (2010).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BSW3-0100-0006