The controlled doping and structural homogeneity of CdHgTe epitaxial layers

• Autorzy: Vlasov A. , Bonchyk O. , Fodchuk I. M. , Zaplitnyy R. , Barcz A. , Świątek Z. , Lityńska-Dobrzyńska L. , Zięba P. , Bielańska E. , Guśpiel J.

Warianty tytułu

PL

Kontrolowane domieszkowanie i jednorodność strukturalna warstw epitaksjalnych CdHgTe

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

X-ray diffraction methods as well as atomic force microscopy (AFM) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) were used to study the controlled doping and structural homogeneity of HgCdTe epitaxial layers. The investigated layers were obtained by the evaporation-condensation-diffusion (ECD) method in the process of isothermal growth. Two types of substrates for CdHgTe ECD growth were used: (110) and (111) CdTe monocrystals with As ion implanted surface layer at a dose of 1×1015cm-2 and an energy of 100 keV. Structural changes in damaged areas of CdTe crystals that arise at the ion beam implantation and the influence of radiation defects on the quality of obtained layers are analyzed.

PL

W badaniach kontrolowanego domieszkowania i jednorodności strukturalnej warstw epitaksjalnych CdHgTe wykorzystano metody dyfrakcji rentgenowskiej oraz mikroskopię sił atomowych i spektroskopię masową jonów wtórnych. Warstwy otrzymano metodą parowanie – kondensacja – dyfuzja w procesie wzrostu izotermicznego. Wykorzystano dwa typy podłoża: monokryształy CdTe o orientacji (110) i (111) poddane implantacji jonowej As o dozie 1×1015cm-2 i energii 100 keV. Przeprowadzono analizę zmian strukturalnych w uszkodzonych obszarach kryształów CdTe wywołanych przez implantację jonową oraz wpływu defektów radiacyjnych na jakość otrzymanych warstw.

Słowa kluczowe

EN

doping; ion implantation; CdHgTe

PL

implantacja jonowa; domieszkowanie; warstwy epitaksjalne; CdHgTe

• Wydawca: Institute of Metallurgy and Materials Science of Polish Academy of Sciences ; Committee of Materials Engineering and Metallurgy of Polish Academy of Sciences
• Czasopismo: Archives of Metallurgy and Materials
• Rocznik: 2007
• Tom: Vol. 52, iss. 4
• Strony: 563--568
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys.

Twórcy

autor

Vlasov A.

autor

Bonchyk O.

autor

Fodchuk I. M.

autor

Zaplitnyy R.

autor

Barcz A.

autor

Świątek Z.

autor

Lityńska-Dobrzyńska L.

autor

Zięba P.

autor

Bielańska E.

autor

Guśpiel J.

• National University, 50 Dragomanov Str., 79005 Lviv, Ukraine

Bibliografia

• [1] A. Rogalski, Defence Science Journal 51, 1, 5 (2001).
• [2] A. Vlasov, V. Pysarevsky, O. Storchun, A. Shevchenko, A. Bonchyk, H. Pokhmurska, A. Barcz, Z. Swiatek, Thin Solid Films 403-404, 144 (2002).
• [3] V. G. Savitsk y, O. P. Storchun, Thin Solid Films 317, 105 (1998).
• [4] R. G. Wilson, J.Appl. Phys. 63, 11, 5302 (1988).
• [5] S. A. Stepanov, E. A. Kondrashkina, A. N. Chuzo, Poverkhnose. Fizika, Khimiya, Mekhanika 9, 112 (1988), (In Russian).
• [6] P. H. Kyutt, Metallofizika i Novejshyie Tekhnologii 24, 4, 497 (2002), (In Russian).
• [7] J. D.Benson, J. B.Varesi, A. J. Stoltz, E. P. G. Smith, S. M. Johnson. M. Jaime-Vasquez, J. K. Markunas, L. A. Almeida, J. C. Molstad, J. Electron. Mater. 35, 6, 1434 (2006).