Struktura i właściwości warstw kompozytowych typy Al2O3 + AIN wytworzonych na podłożu Niklu 200 metodą PACVD z użyciem trimetyloglinu

• Autorzy: Sitek R. , Sikorski K. , Pisarek M. , Łunarska E. , Wierzchoń T

Warianty tytułu

EN

Structure and properties of Al2O3 + AlN surface layers produced on Nickel 200 by PACVD method

• Konferencja: Szkoła Letnia Inżynierii Powierzchni (3; 23-25.09.2004; Kielce-Ameliówka, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań struktury i składu chemicznego warstw Al₂O₃, Al₂O₃ + AlN otrzymanych na podłożach wykonanych z Niklu 200 metodą PACVD z użyciem związku metaloorganicznego trimetyloglinu. Warstwy te charakteryzuje duża twardość, wysoka odporność na ścieranie, chemiczna stabilność. Stosowano następujące techniki badawcze: mikroskopia świetlna SEM + EDS, AES, XRD, badania mikrotwardości, badania korozyjne.

EN

The structure and chemical composition of composite oxynitrided layers obtained on Nickel 200 by PACVD method using metaloorganic compound (trimethylaluminium Al(CH₃)₃) are described. X-ray microanalysis examinations, confirmed by X-ray diffraction and Auger electron spectroscopy, shows that obtained layer contains Al₂O₃ and AlN phases.The obtained layer shows high hardness (1300 HV0,05) and good corrosion resistance.

Słowa kluczowe

PL

PACVD; trimetyloglin; Al2O3; AIN

EN

PACVD; trimethylaluminum; Al2O3; AIN

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Świętokrzyskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Politechniki Świętokrzyskiej. Mechanika
• Rocznik: 2005
• Tom: Z. 82
• Strony: 197--205
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Sitek R.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej, ul. Wołoska 141, PL - 02 507 Warszawa

autor

Sikorski K.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej, ul. Wołoska 141, PL - 02 507 Warszawa

autor

Pisarek M.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej, ul. Wołoska 141, PL - 02 507 Warszawa

autor

Łunarska E.

• Instytut Chemii Fizycznej PAN, ul. Kasprzaka 44/52, PL - 01 224 Warszawa

autor

Wierzchoń T

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej, ul. Wołoska 141, PL - 02 507 Warszawa

Bibliografia

• 1. Dong-Hau Kuo, Bo-Yu Cheung, Ren-Jye Wu, Growth and properties of alumina films obtained by low-pressure metal-organic chemical vapour deposition. Thin Solid Films 398-399, 2000, p. 35-40.
• 2. Eichorn G., Renach U., MOCVD of AIN on Sillicon Phisica Status Solidi (a) 69 K3 1982.
• 3. Yasui K., Hoshino S., Akahane T., Applied Surface Science 159-160, 2000, p. 462.
• 4. Masu K., Yokoyama M., Matssuhasi H., Tsubouchi K., Applied. Surface. Science 79/80, 1994, p. 237.
• 5. Sobiecki J.R., Ossowski M., Sitek R., Wierzchoń T., Surface layers produced by the PACVD method with the use of trimethylaluminum. “Inżynieria Materiałowa”, 3, 2004, p. 659-661.
• 6. Rie K.T., Gebauer A., Wohle J., Studies on synthesis of aluminium containing layer systems on steel and cermet substrates by PACVD. Surface and Coatings Technology 98, 1999, p. 1324-1328.
• 7. Ntsama-Etoundia M.C., Desmaison J., Tristant P., Tixier C., Remote microwave plasma enhanced chemical vapour deposition of alumina on metallic substrates. Surface and Coatings Technology 120-121, 1999, p. 233-237.
• 8. Crossley A., Sofield C.J., Sugden S., Clampit R., Bradley C., Vacuum 46 (7), 1995, p. 667.