PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Składowanie danych w pamięci Flash - studium przypadku

Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Flash memory data storage - case study
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Klasyczne, magnetyczne nośniki pamięci masowej stosowane w systemach komputerowych są coraz częściej zastępowane układami pamięci flash. Dyski SSD (ang. Solid State Disc) zbudowane w oparciu o pamięci flash zastępują dyski twarde HDD (ang. Hard Disk Drive). Dyski SSD osiągają zdecydowanie krótsze czasy dostępu, kilkudziesięciokrotnie niższe w porównaniu do dysków HDD przy odczycie losowym. Niestety, odczyt sekwencyjny, a szczególnie zapis danych na dyskach SDD nie jest już równie szybki. Praca zawiera analizę zastosowania pamięci flash do składowania danych w przykładowej konfiguracji systemu zarządzania bazą danych.
EN
Flash memory replaces classic, magnetic mass memory storage used in computer systems. SDD (Solid State Disc) disks based on flash memory replace hard discs drives (HDD). SDD discs offer much shorter access times, tens times shorter in respect to HDD discs where random access is considered. Unfortunately sequential access and write operations are not so effective. This work aims to analyze profits of using flash memory storage in sample database system configuration.
Czasopismo
Rocznik
Strony
449--458
Opis fizyczny
Bibliogr. 6 poz.
Twórcy
autor
Bibliografia
  • 1. Masuoka F., Asano M., Iwahashi H., Komuro T., Tanaka S.: A New Flash EPROM Celi Using Triple Polysilicon Technology. Proceedings of the International Electron Devices Meeting, Vol. 30,1984.
  • 2. Masuoka F., Momodomi M., Iwata Y., Shirota R.: New Ultra High Density EPROM and Flash EEPROM with NAND Structure Cell. IEDM Technical Digest, 1987.
  • 3. Lai S. K.: Flash memories: successes and challenges. IBM Journal of Research and Development. Vol. 52, Issue 4,2008.
  • 4. Jung T.-S., Choi Y.-J., Suh K.-D., Suh B.-H., Kim J.-K., Lim Y.-H., Koh Y.-N., et al.: A 3.3 V 128 Mb Multi-Level NAND Flash Memory for Mass Storage Applications, Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, San Francisco 1996.
  • 5. Kingston Technology Corporation, Flash Memory Guide, 2009.
  • 6. Niemiec R.J.: Oracle Database l0g Performance Tuning Tips & Techniques, McGraw-Hill, 2007.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BSL9-0051-0035
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.