Falownik rezonansowy klasy DE 8 MHz z drajwerem sinusoidalnym

• Autorzy: Kasprzak M.

Warianty tytułu

EN

Class DE, 8 MHz resonant inverter with sinusoidal gate driver of Mosfet

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule opisano falownik klasy DE z wyzwalaniem sinusoidalnym tranzystorów Mosfet. Wyzwalacz jest falownikiem rezonansowym klasy D, który napięciem sinusoidalnym zasila dwa transformatory bramkowe. Falownik klasy DE 8 MHz/200 W zbudowano opierając się na tranzystorze Mosfet IRF740LC o obniżonym ładunku. W falowniku klasy D wyzwalacza wykorzystano scalony sterownik DEIC420. Artykuł zawiera schemat przekształtnika, wyniki pomiarów laboratoryjnych oraz wyniki symulacji komputerowych (SPICE). Uzyskano stan pracy optymalnej i sprawność 88%. Pozytywne wyniki pozwolą opracować falownik o mocy ok. l kW/16 MHz z tranzystorami Mosfet do zastosowań RF.

EN

The work concerns the Class DE resonant inverter with the sinusoidal gate driver of Mosfet's. The sinusoidal driver bases on Class D inverter supplying two gate drive transformers. The class DE 8 MHz/200 W inverter bases on IRF740LC low charge Mosfets. Class D driving inverter bases on solid RF driver DEIC420 type. The Paper contain schema of the inverter, laboratory measurements and SPICE simulation results. In the optimum commutation mode the 88% efficiency of inverter was obtained. Positive results of laboratory measurements allows to design a similar 1 kW/16MHz inverter based on RF dedicated Mosfet.

Słowa kluczowe

PL

falownik rezonansowy; klasa DE; drajwer sinusoidalny

EN

resonant inverter; class DE; sinusoidal gate driver

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Śląska
• Rocznik: 2004
• Tom: z. 192
• Strony: 85--90
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz.

Twórcy

autor

Kasprzak M.

• Instytut Elektrotechniki Teoretycznej i Przemysłowej Politechnika Śląska, 44-100 Gliwice, ul. Akademicka 10, tel. [phone]

Bibliografia

• 1. Koizumi H., Suetsugu T., Fuji M., Shinoda K., Mori S., Iked K.: Class DE High-Efficiency Tuned Power Amplifier, IEEE Transactions on Circuits and Systems - I: Fundamental Theory and Application, vol. 43, no. 1, Janauary 1996, pp. 51-60.
• 2. Koizumi H., Iwadare M., Mori S., Ikeda K., A class D type high frequency tuned power amplifier with Class E switching conditions, Int. Symp. on Circuits and Systems, vol. 5, pp. 105-108, London, June 1994.
• 3. Shinoda K., Suetsugu T., Matsuo M., Mori S.: Idealized Operation of Class DE Amplifier and Frequency Multipliers, IEEE Transactions on Circuits and Systems - I: Fundamental Theory and Application, vol. 45, no. 1, January 1998, pp. 34-40.
• 4. Hamill D.C.: Impedance plane analysis o f class DE amplifier. Electronics Letters, Vol 30, No. 23, 10th November 1994.
• 5. Kazimierczuk M. K., Czarkowski D.: Resonant power converters, John Wiley & Sons, USA 1995.
• 6. Grzesik B., Kaczmarczyk Z., Kasprzak M.: Wybrane właściwości rezonansowego falownika klasy DE w warunkach komutacji optymalnej, IV Konferencja “Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE’99 ”, Pol. Łódzka, Łódź-Arturówek 17-19 listopada 1999, tom I, pp.223-228.
• 7. Grzesik B., Kaczmarczyk Z., Kasprzak M.: 1MHz Sinusoidal Gate Driver for Class DE Inverter Operating with Variable Load and Frequency, 31st IEEE Power Electronics Specialists Conference, PESC’00, Galway (Ireland), June 2000, pp. 817-822.
• 8. Kasprzak M.: Class DE, 2MHz/500W Frequency Multiplier, 14th International Conference on Electrical Drives and Power Electronics EDPE 2001, 3-5 October 2001, the High Tatras, Slovakia, pp. 250-255.
• 9. El-Hamamsy S.: Design o f High-Ejficiency RF Class-D Power Amplifier, IEEE Transactions of Power Electronics, vol. 9, no. 3, May 1994, pp. 297-308.
• 10. DEIC420 - 20 Ampere Low-Side Ultrafast RF MOSFET Driver - Directed Energy, Inc., An IXIS Company, 2001, Nota Aplikacyjna.
• 11. EVIC420 - DEIC420 High Frequency gate Driver 1C Evaluation Board, Directed Energy, Inc., An IXIS Company, 2002, Nota Aplikacyjna.
• 12. DE 375-501N21A - RF Power MOSFET, IXIS Company, 2003, Nota Aplikacyjna.