Niszczące i nieniszczące metody pomiaru profilu koncentracji domieszek w materiałach półprzewodnikowych

• Autorzy: Waczyński K. , Wróbel E. , Drabczyk K.

Warianty tytułu

EN

Destructive and non destructive methods of determining dopant concentration profile in silicon

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wstępne rezultaty pomiarów profili koncentracji domieszki fosforowej dyfundowanej w krzem. Jako źródło domieszki wykorzystano rozwirowywane roztwory domieszkowe (spin-on), których charakterystyki domieszkowania nie są jeszcze do końca poznane. Głównym celem badań jest określenie pełnej charakterystyki domieszkowej opracowanych w Instytucie Elektroniki Politechniki Śląskiej rozwirowywanych roztworów domieszkowych. Pomiary profili koncentracji domieszek wykonywano z wykorzystaniem elektrochemicznego profilera w Instytucie Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej. Uzyskane rezultaty pozwolą na zmodyfikowanie technologii wytwarzania rozwirowywanych roztworów domieszkowych.

EN

This paper presents preliminary results obtained from the research on defining phosphorus concentration profiles in silicon. As dopant source a spin-on phosphorus source was used, whose dopant characteristics are not entirely known. The aim of research is to completely define dopant characteristics of silica glasses produced on the surface of silicon by means of the spin-on method. To produce dopant glasses spin-on dopant solutions worked out and produced at the Institute of Electronics of the Silesian Technical University were used. The measurements of dopant concentration profiles were taken by means of the electrochemical profile plotter at the Institute of Microsystems Technology of the Technical University in Wroclaw. The tests allow to gain some essential clues useful in the production of spin-on dopant solutions.

Słowa kluczowe

PL

profile koncentracji domieszek; materiały półprzewodnikowe; ploter elektrochemiczny

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe. Matematyka - Fizyka / Politechnika Śląska
• Rocznik: 1999
• Tom: z. 87
• Strony: 133--143
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz.

Twórcy

autor

Waczyński K.

autor

Wróbel E.

autor

Drabczyk K.

• Instytut Elektroniki Politechnika Śląska, 44-100 Gliwice, ul. Akademicka 16, tel. [phone],