PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Influence of laser annealing on physical properties of HgCdTe

Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Wpływ promieniowania laserowego na własności fizyczne HgCdTe
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Thermodiffusion model of laser annealing and decomposition of the material is presented. It has been shown that the processes of atoms diffusion at laser annealing of HgCdTe (MCT) can cause the specific conditions of decomposition of the solid solution. The idea of the possible formation of p-n heterojunction, which was shown by computer modelIing of mass transportation processes under laser treatment of the mercury cadmium telluride was experimentally realized. MCT samples were irradiated without melting with an YAG neodymium laser.
PL
Zaprezentowano model laserowego wygrzewania i dekompozycji roztworów stałych HgCdTe. Pokazano, że w modelu tym ogromną rolę odgrywają strumienie fononów. Ich wielkość ściśle zależy od tej części objętości laserowo wygrzewanego materiału, w której gradienty temperatury są największe. Strumienie fononów mogą być tak silne, że porywają najsłabiej związane w sieci atomy rtęci a te mają tendencję do gromadzenia się w miejscu występowania maximum gradientu temperatury. Pokazano, że proces chemicznej dyfuzji atomów wywołany silnym impulsowym laserowym wygrzewaniem tellurku kadmowo rtęciowego (MCT) stwarza specyficzne warunki burzenia jednorodnej początkowo struktury wewnętrznej półprzewodnika. Występowanie w laserowo wygrzewanym HgCdTe heterozłącza w pobliżu naświetlanej powierzchni potwierdzono pomiarami fotoczułości oraz rentgenowską analizą składu. Próbki jednorodnie wygrzewano przy pomocy lasera YAG:Nd3+ bez przetopienia naświetlanej powierzchni.
Rocznik
Strony
199--208
Opis fizyczny
Bibliogr. 26 poz., rys.
Twórcy
autor
  • Uniwersytet Rzeszowski, Instytut Fizyki, 35-310 Rzeszów, ul. Rejtana
  • Uniwersytet Rzeszowski, Instytut Fizyki, 35-310 Rzeszów, ul. Rejtana.
autor
  • Uniwersytet Rzeszowski, Instytut Fizyki, 35-310 Rzeszów, ul. Rejtana.
Bibliografia
  • [1] G.G. Gromov, S.W. Seregin, S.V. Zuk, V.B. Ufimtsev, Fiz. Khim. Obrabotki Mater. 4, 19 (1990).
  • [2] A. Baidulaeva, B.K. Dauletmutatov, V.A. Gnatyuk, P.E. Mozol, Phys. Stat. Sol (b) 122, 243(1990).
  • [3] V.H. Strekalov, Fiz. Tekh. Poluprov. 20, 361 (1986).
  • [4] A.V. Dvurechenskii, V.G. Remesnic, N.Ch. Talipov, I.A. Riazantsev, Fiz. Tekh. Poluprov. 27, 168 (1993).
  • [5] P.E. Mozol, V.A. Gnatiuk, A.V. Sukach, A.I. Vlasenko, A.S. Kopishinskaja, V.I. Lukianenko, Fiz. Tekh. Poluprov. 27, 1820 (1993).
  • [6] A.A. Zaginei, B.K. Kotliarchuk, G.V. Pliatsko, V.G. Savitskii, Neorg. Mater. 25, 1108(1989).
  • [7] C.N. Afonso, M. Alonso, J.L.H. Neira, A.D. Sequeira, M.F. da Silva, J.C. Soares, J. Vac. Sci. Technol. A7, 3256 (1989).
  • [8] K.D. Tovstyuk, G.V. Pliatsko, V.B. Orletskij, S.G. Kijak, Ya.U. Bobitskij, Ukr. Fiz. Zh. 21, 1918 (1976).
  • [9] R.V. Luciv, V.G. Savitskij, G.V. Plyatsko, Sov. Phys. Semicond. 12, 247 (1978).
  • [10] S. Damquard, M. Oron, J.W. Petersen, Phys. Stat. Sol. (a) 59, 63 (1980).
  • [11] S.G. Kiyak, W. Krechun, A.A. Manenkov, Fiz. Tekh. Poluprov. 23, 421 (1989).
  • [12] V.P. Voronkov, G.A. Gurchenok, Fiz. Tekh. Poluprov., 24, 1831 (1990).
  • [13] W.B. Fiks, Przewodnictwo Jonowe w Metalach i Półprzewodnikach PWN, Warszawa (1971).
  • [14] R. Ciach, M. Faryna, M.Kuźma, M. Pociask, E. Sheregii, Thin Solid Films 241, 151 (1994).
  • [15] M. Kuźma, M. Pociask, A. Wal, E. Sheregii, J. Smela, Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 2, 329 (1994).
  • [16] D. Potter, Computational Physics, John Wiley & Sons, London, New York, Sydney, Toronto (1973).
  • [17] F.A. Zaitov, A.W. Gorshkov, G.M. Shaliapina, Fiz. Tverd. Tela 20, 1601 (1978).
  • [18] V.I. Ivanov-Omskii, N.N. Berchenko, A.I. Elizarov, Phys. Stat. Sol. 103, 11 (1987).
  • [19] J. Piotrowski, A. Rogalski, Półprzewodnikowe Detektory Podczerwieni WNT Warszawa (1978).
  • [20] R. Ciach, M. Faryna, M. Kuźma, M. Pociask, E. Sheregii, Journal of Crystal Growth, 161, 234(1996).
  • [21] M. Faryna, M. Pociask, Opto-Electr. Rev. 4, 3/4, 145 (1996).
  • [22] M. Pociask, E.M. Sheregii, Proc. NGS 10, IPAP Conf. Series 2, 80-82 (2001).
  • [23] A.G. Khachaturian, Theory of Phase Transitions and Structure of Solid Solution Moscow (1974) [in Russian].
  • [24] J.W. Cahn, Acta Met. 9, 795 (1961).
  • [25] J.W. Cahn, Trans. AIME 242, 166 (1968).
  • [26] E. Sheregii, M. Kuźma, C. Abeynayake, M. Pociask, Can. J. Phys. 73, 174 (1995).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPZ3-0026-0025
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.