Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Nowe techniki cienkowarstwowe stosowane do wytwarzania czujników elektrochemicznych
Języki publikacji
Abstrakty
The pulsed laser deposition (PLD) technique is proposed as an innovative semiconductor-compatible fabrication technique in order to realise different thin film materials for chemical sensor applications. As two examples, Ta(2)0(5) and Al(2)0(3) layers on top of capacitive Si/Si0(2) structures and chalcogenide glass layers on metallised Si substrates show a nearly-Nernstian pH sensitivity of about 55-58 mV per decade and a high sensitivity towards bi- and univalent heavy metal ions of about 25-29 mV and 56-60 mV per decade, respectively. The layer thickness of the sensor materials is in the nm range. Even multi-component systems consisting of up to five different elements can be stoichiometrically deposited. Besides the electrochemical sensor characterisation, Rutherford backscattering spectrometry, ion channeling experiments, X-ray diffractometry and transmission electron microscopy have been performed in order to study the physical layer structure of the pulsed laser-deposited thin film materials.
Zaproponowano technikę impulsowego laserowego osadzania (PLD), jako nową, kompatybilną z technologią półprzewodnikową metodę wykonania cienkich warstw w czujnikach chemicznych. Przykładowo, warstwy Ta(2)O(5) i AbO(3) nałożone na wierzchu struktur pojemnościowych Si/SiO(2) i warstwy szklistych halogenków na metalizowanych podłożach Si wykazały czułość na pH bliską Nernstowskiej, około 55-58 mV na dekadę i dużą czułość na jony metali ciężkich, około 25-29 mV i 56-60 mV na dekadę, odpowiednio dla jonów dwu- i jednowartościowych. Grubość warstwy czułej chemicznie była rzędu nanometrów. Można również nakładać stechiometrycznie układy wieloskładnikowe, zawierające do pięciu pierwiastków. Oprócz charakteryzacji czujników elektrochemicznych, wykonano: pomiary spektrometryczne rozpraszania wstecznego Rutherforda, eksperymenty tunelowania jonów, dyfraktometrię rentgenowską i pomiary z użyciem elektronowego mikroskopu prześwietleniowego, w celu zbadania fizycznej struktury warstw wykonanych techniką impulsowego laserowego osadzania.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
107--119
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., rys.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
- Research Centre Jülich, Institute of Thin Films and Interfaces, Germany
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPZ3-0006-0059