PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Influence of bismuth oxide modification on varistors tsd current.

Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
APTADM 2007, III International Conference on Advances in Processing Testing and Application of Dielectric Materials., September, 26-28, 2007 Wrocław, Poland
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Metal oxide varistors, being of nonlinearly resistors are commonly used for protection of electronic and power engineering devices against over-voltage surges. The operational reliability, along with assurance of suitable level of protection, is one of the main concern in varistor design and manufacturing. The bottle neck of varistors is the their susceptibility to degradation. The high temperatures and strong charge impacts much accelerate the varistor degradation what is manifested by the asymmetry of the I-V characteristics and the increase of the leakage current. Heating varistors to about 200 deg C causes that the I-V asymmetry disappears and the I-V characteristics reshape what is demonstrated by the passage of the TSD current. The phenomena of the degradation was provoked by exposing varistors to the action of the 50 fiA DC current at 115 deg C for 21 hours. In the case of varistors doped with Bi203 modified by other metal oxides there were no TSD peaks what proves that they were resistant to degradation.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
  • Institute of Electrotechnics, 50-369 Wroclaw, M. Curie-Sklodowskiej 55/61, Poland
Bibliografia
  • [1] HARRIS Semiconductor Transient Voltage Suppression, Products Data book, Harris Corporation, 1993.
  • [2] Sato K., Takada Y.-Maekawa H., Ototake M., Tominaga S.: Electrical conduction of ZnO Varistors under continuous DC stress, Jpn. J. Appl. Phys., 19/[5], 1980, pp. 909-917.
  • [3] Nawata M., Kawamura H., Ieda M: Effect of DC pre-stress on electric properties of zinc oxide ceramics, In: Sixth International Symposium on High Voltage Engineering. New Orleans, Aug. 28-Sept. 1, 1989. New Orleans, Mississippi State Univ., 26.06, 1989, pp. 1-3.
  • [4] Nawata M., Kawamura H., Ieda M., Kanematsu A.: Studies on degradation mechanism of zinc oxide ceramics varistor by thermally stimulated current. In: Advances in varistor technology. Ed. Lionel L., Levinson L.M., 2'"1 International Varistor Conference (Schenectady N.Y., 1988), Vol. 3, Ceramic transactions, Westervile, Ohio, Am. Ceram. Soc, 1989, pp. 186-193.
  • [5] Tuszewska B.: Zbadanie możliwości oceny stopnia degradacji warystorów z tlenków metali na podstawie prądów termicznie stymulowanych. Opracowanie metody i wykonanie projektu stanowiska badawczego, Sprawozdania Instytutu Elektrotechniki Nr 42/1/NWN/89, Warszawa 1989, s. 32.
  • [6] Tuszewska B., Korycki P.: Badania degradacji próbek warystorów z tlenków metali o kontrolowanej technologii wytwarzania z wykorzystaniem metody TSC, Sprawozdania Instytutu Elektrotechniki Nr 27/NWN/1990.
  • [7] Gubański A., Mielcarek W., Paściak G.: Pomiary prądów TSD warystora. W: Postępy w elektrotechnolo-gii. Materiały konferencyjne, Szklarska Poręba, 14-16 września 1994.
  • [8] Mahan G.D., Levinson L.M., Philipp H.R.: Theory of conduction in ZnO Varistors, J. Appl. Phys., 50 [4], 1979, pp. 2799-2812.
  • [9] Gupta T.K.: Application of zinc oxide varistors, J. Am. Ceram. Soc, 73 [7], 1990, pp. 1817-40.
  • [10] Hozer L.: Półprzewodnikowe materiały ceramiczne z aktywnymi granicami ziaren, PWN, Warszawa 1990.
  • [11] Paściak G.: Warystory tlenkowe. Rozprawa doktorska, Wydział Elektroniki Politechniki Wrocławskiej, Wrocław 1997 (praca niepublikowana).
  • [12] Takahashi K„ Miyoshi T, Meada K„ Yamazaki J.: Degradation of zinc oxide varistors. In: Grain boundaries in semiconductors. Materials Research Society Symposia Proceedings.
  • [13] Gupta T.K., Carlson W.G.: A grain-boundary defect model for instability/stability of a ZnO varistor, J. Mater. Sei., 20 [10], 1985, pp. 3487-500.
  • [14] Gupta T.K., Straub W.D.: Effect annealing on the ac leakage components of the ZnO varistor. I. Resistive current, J. Appl. Phys., 68 [2], 1990, pp. 845-850.
  • [15] Ram An Achałam M.S., Rohatgi A., Schaffer J.P., Gupta T.K.: Characterization of ZnO varistor degradation using lifetime positron - annihilation spectroscopy, J. Appl. Phys., 69 [12], 1991, pp. 8380-86.
  • [16] Rohatgi A., Pang S.K., Gupta T.K., Straube W.D.: The deep level transient spectroscopy studies of a ZnO varistor as a function of annealing. J. Appl. Phys., 63 [11], 1988, pp. 5375-79.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPW9-0004-0065
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.