PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Modyfikacja właściwości nieliniowych ceramiki warystorowej.

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Modification of non-linearity of varistors' ceramics.
Konferencja
VI Konferencja Naukowa Postępy w Elektrotechnologii, Jamrozowa Polana, 20-22 wrzesień 2006
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Typowe warystory ZnO produkuje się prasując mieszaninę ZnO z matą ilością (poniżej 3wt%) innych tlenków metali. Podczas procesu spiekania ziarna ZnO są otaczane izolującą warstwą międzyziarnową a na granicy ziaren tworzy się bariera potencjału odpowiedzialna za własności warystorowe. Warstwa międzyziarnową, której głównym składnikiem jest Bi2O3 ma tendencję do aglomeracji. Poprawę dystrybucji fazy międzyziarnowej, a tym samym własności warystorowych ceramiki ZnO otrzymano modyfikują Bi2O3 tlenkami innych metali. Biorąc jako kryterium wartość współczynnika nieliniowości w zakresie prądów 10-6 A - 10-2 A uszeregowanie stosowanych modyfikatorów Bi2Oi, od najgorszego do najlepszego, wyglądałoby następująco: Sb2O3-MnO-PbO-SrO- Co2O3.
EN
Varistor ceramics based on ZnO its non-linear current-voltage characteristics possesses due to small amount of other metal oxide and micro structure developed during sintering. Bi2O3 segregating at the ZnO grain boundaries relates directly to the value of the non-linearity coefficient a. Modifying Bi2O3 with other metal oxides appeared effective for imposing the better varistors property into the ZnO ceramics.
Twórcy
autor
autor
autor
  • Instytut Elektrotechniki Oddział Technologii i Materiałoznawstwa Elektrotechnicznego
Bibliografia
  • [1] Matsuoka M., Masuyamai T., Iida Y., Nonlinear electrical properties of zinc oxide ceramics. J.Jap. Soc. Appl. Phys. Supl. 39 (1970), pp. 94-101.
  • [2] Raghu N., Kutty T.R.N., Varistors based on mixed-phase ceramics containing ZnO and negative temperature coefficient spinels, Appl. Phys. Lett, vol. 58[10], 1991, pp. 1050-52.
  • [3] Raghu N. & Kutty T.R.N., ZnO-based voltage-limiting resistors with MCoO3-x (M=Ba, Sr) as the only forming additive. Mat. Scien. and Engin., vol. B 13(1992), pp. 181-197.
  • [4] Yang S.L., W. U.J.M., Novel niobium-doped titan varistor with added barium and bismuth J.Am.CeramSoc, vol. 76[1] (1993), pp.145-52.
  • [5] Yang S. L. & W. U.J.M., Varied atmosphere compensation-exploring the roles of barium and bismuth in (Ba,Bi,Nb)-doped TiO2" J- Am. Cer, Soc. 78 [8] (1995), pp. 2203-8.
  • [6] Olsson E., Dunlop G.L. The effect of Bi2O3 content on the microstructure and electrical properties of ZnO varistor materials. J. Appl. Phys. 66 [8] (1989), pp. 4317-22.
  • [7] Olsson E., Dunlop G.L., Characterisation of individual interfacial barriers in a ZnO varistor material J Appl. Phys. 66 [8] (1989), pp. 3666-41.
  • [8] Mielcarek W., Paściak G., Prociów K., Modyfikacja technologii wytwarzania warystorów tlenkowych przez. zastosowanie związku barowo-bizmutowego. Polski patent No P-328359, 4 Oct. 1998.
  • [9] Mielcarek W., Prociów K.: BaBiO2J7 role in promoting varistor property in zinc oxide ceramics. J. of Europ. Ceram. Soc. 5 (2001), 711-717.
  • [10] Tang H., Scuka V., ETEP Vol. 9., No. 2.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPW9-0002-0018
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.