Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs

• Autorzy: Bisewski D. , Zarębski J.

Warianty tytułu

PL

Badanie parametrów termicznych tranzystorów GaAs i SiC MESFET

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper deals with a problem of measuring of the thermal parameters - the thermal resistance and the transient thermal impedance of MESFETs made of both the gallium arsenide (GaAs-MESFET) and silicon carbide (SiC-MESFETs). The measuring set proposed by the authors, is presented. SiC and GaAs MESFETs operating at different cooling conditions are investigated. The strong influence of the ambient temperature and the device dissipated power on the device thermal parameters are observed. The new analytical dependence of the MESFET thermal resistance on the ambient temperature and the dissipated power is proposed.

PL

Praca dotyczy problematyki pomiaru i modelowania parametrów termicznych - rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET wykonanych z arsenku galu (GaAs-MESFET) oraz węglika krzemu (SiC-MESFET). Omówiono metodę pomiaru parametrów termicznych tranzystorów MESFET z wykorzystaniem zaproponowanego przez autorów systemu pomiarowego. Przedstawiono wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w tranzystorach na wartości ich parametrów termicznych.

Słowa kluczowe

EN

MESFETs; modeling; thermal variable measurement; temperature measurement

PL

tranzystory MESFET; modelowanie; pomiar parametrów termicznych; pomiar temperatury

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2011
• Tom: R. 87, nr 1
• Strony: 271--274
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Bisewski D.

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81-87, 81-225 Gdynia,

Bibliografia

• [1] Zarębski J., Modelling, Simulations and Measurements of Electrothermal Characteristics in Semiconductor Devices and Electronic Circuits, Proceedings of Gdynia Maritime Academy, Gdynia, (1996)
• [2] Stephens C. E., Sinnadurai F. N., A surface temperature limit detector using nematic liquid crystals with an application to microcircuits, Journal of Physics E: Scientific Instruments, Vol. 7, (1974), No. 8, 641-643
• [3] Walshak L. G., Poole G. E., Thermal resistance measurement by IR scaning, Microwave Journal, Vol. 16, (1977), 62-65
• [4] Estreich D. B., A DC Technique for Determining GaAs MESFET Thermal Resistance, IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, Vol. 12, (1989), No. 4, 67-69
• [5] Siegal B. S., A proposed method for testing thermal resistance of MESFETs, Microwave Systems News, Vol. 7, (1977), 67-69
• [6] Górecki K., Zarębski J., Microcomputer System for Measuring Thermal Parameters of a Class of Semiconductor Devices and Integrated Circuits, Metrology and measurement systems, Vol. 8, (2001), No. 4, 379-395
• [7] Blackburn D. L., Oettinger F. F., Transient Thermal Response Measurement of Power Transistors, IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrumentation, Vol. IECI-22, (1975), No. 2, 134-141
• [8] Górecki K., Zarębski J., Parameters Estimation of Thermal Model of Semiconductor Devices, Electronics and Telecommunications Quarterly, (2006), No. 3, 347-360
• [9] http://www.cel.com/pdf/datasheets/ne650103.pdf
• [10] http://www.cree.com/products/wireless_products.asp