Dependence of GaAs and Si surface energy on the misorientation angle of crystal planes

• Autorzy: Zdyb A. , Olchowik J. M. , Mucha M.
• Konferencja: 8th International Conference on Intermolecular and Magnetic Interaction in Matter, Nałeczów 8-10 September 2005
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper reports on the dependence of Si and GaAs surface energies on the misorientation angle of Si and GaAs crystal planes in a broad angle range. The energetic balance between GaAs and Si is unfavourable for growth of GaAs on Si substrate. Minima of the surface energy correspond to GaAs/Si heterostructure interface energy minima which indicate preferable crystal orientations for obtaining GaAs layers on Si.

Słowa kluczowe

EN

III-V semiconductors; interface

PL

półprzewodniki III-V; powierzchnia międzyfazowa; związki galu

• Wydawca: De Gruyter
• Czasopismo: Materials Science Poland
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 24, No. 4
• Strony: 1109--1114
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz.

Twórcy

autor

Zdyb A.

autor

Olchowik J. M.

autor

Mucha M.

• Institute of Physics, Technical University of Lublin, ul. Nadbystrzycka 38, 20-618 Lublin,

Bibliografia

• [1] MATSUNAGA Y., NARITSUKA S., NISHINAGA T., J. Cryst. Growth, 174 (1997), 635.
• [2] CHANG Y.S., NARITSUKA S., NISHINAGA T., J. Cryst. Growth, 192 (1998), 18.
• [3] TACHIKAWA M., MORI H., SUGO M., ITOH Y., Jpn. J. Appl. Phys., 32 (1993), L1252.
• [4] MAUK M.G., FEYOCK B.W., COTTER J.E., J. Cryst. Growth, 225 (2001), 528.
• [5] SMALL M.B., GIESS E.A., GHEZ R., [in:] D.T.J. Hurle (Ed.), Handbook of Crystal Growth, Vol. 3, Elsevier, Amsterdam, 1994, p.225.
• [6] BAUER E., VAN DER MERWE J.H., Phys. Rev. B, 33 (1986), 3657.
• [7] HOWE J.M., Interfaces in Materials, Wiley, New York, 1997.
• [8] ACKLAND G., [in:] R.M. Nieminen, M.J. Puska, M.J. Maninen (Eds.), Many-Atom Interactions in Solids, Proceedings in Physics, Springer-Verlag, Berlin, 1990, p. 249.
• [9] ZDYB A., OLCHOWIK J.M., SZYMCZUK D., MUCHA J., ZABIELSKI K., MUCHA M., SADOWSKI W., Cryst. Res. Technol., 37 (2002), 875.
• [10] ZDYB A., Ph.D. Thesis, TU Gdansk (2002).
• [11] DĄBROWSKI J., MUSSIG H.J., Silicon Surfaces and Formation of Interfaces, World Scientific Publ., Singapore, 2000.
• [12] EAGLESHAM D.J., WHITE A.E., FELDMAN L.C., MORIYA N., JACOBSON D.C., Phys. Rev. Lett., 70 (1993), 1643.
• [13] BARTELT N.C., WILLIAMS E.D., PHANEUF R.J., YANG Y., DAS SARMA S., J. Vac. Sci. Technol., A7 3 (1989), 1898.
• [14] PHANEUF R.J., WILLIAMS E.D., Phys. Rev. B, 41 (1990), 2991.
• [15] CHABAL Y.J., ROWE J.E., CHRISTMAN S.B., Phys. Rev. B, 24 (1981), 3303.
• [16] SHIBATA M., SUMITA I., NAKAJIMA M., Phys. Rev. B, 57 (1998), 1626.