PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Investigations of highly conducting and transparent Sc doped ZnO films grown by the sol-gel process

Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Highly transparent and conductive scandium doped zinc oxide (ZnO/Sc) films were prepared on Corning glass 7059 substrates by the sol-gel technique. The influence of scandium concentration (0-1.5 wt. %) and annealing temperature (300-500 °C) on the structural, optical and electrical properties was investigated. The average transmittance was found to be above 89% in the visible region. ZnO/Sc film having 0.5 wt. % of Sc and annealed at 400 °C exhibited a minimum resistivity of 3.52×10-4 ohmocm. The surface morphology of these films examined by SEM and AFM revealed formation of nano rods.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Strony
225--237
Opis fizyczny
Bibliogr. 35 poz.
Twórcy
autor
autor
autor
  • Department of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi - 110 021, India
Bibliografia
  • [1] RONOVICH J.A., GOLMOYA D., BUBE R.H., J. Appl. Phys., 51 (1980), 4260.
  • [2] SRIKANT V., CLARKE D.R., J. Appl. Phys., 81 (1997), 6357.
  • [3] MINAMI T., NATO H., TAKAT A.S., Thin Solid Films, 124 (1985), 43.
  • [4] CHOPRA K.L., MAJOR S., PANDYA D.K., Thin Solid Films, 102 (1983), 1.
  • [5] WEIBENRIEDER K.S., MULLER J., Thin Solid Films, 300 (1997), 30.
  • [6] SEOK-SOON K., JUN-HO Y., YUNG-EUN S., Solar Energy Mat. Solar Cells, 79 (2003), 495.
  • [7] MAJOR S., KUMAR S., BHATNAGAR M., CHOPRA K.L., Appl. Phys. Lett., 49 (1986), 394.
  • [8] HU J., GORDON R.G., J. Appl. Phys., 72 (1992), 5381.
  • [9] BIXIA L., ZHUXI F., YUNBO J., Appl. Phys. Lett., 79 (2001), 943.
  • [10] MALIK A., SECO A., NUNES P., VIEIRA M., MRS Displays Technologies, 471 (San Francisco, USA, 2–8 April 1997).
  • [11] TANG W., CAMERON D.C., Thin Solid Films, 238 (1994), 83.
  • [12] CHANG J.F., LIN W.C., HON M.H., Appl. Surf. Sci., 183 (2001), 18.
  • [13] MINAMI T., YAMAMOTO T., MIYATA T., Thin Solid Films, 366 (2000), 63.
  • [14] NUNES P., FORTUNADEO E., MARTINS R., Thin Solid Films, 383 (2001), 277.
  • [15] ROTH A.P., WILLIAMS D.F., J. Appl. Phys., 52 (1981), 6685.
  • [16] LU Y.F., NI H.Q., MAI Z.H., REN Z.M., J. Appl. Phys., 88 (2000), 498.
  • [17] JIANG X., WONG F.L., FUNG M.K., LEE S.T., Appl. Phys. Lett., 83 (2003), 1875.
  • [18] JIMÉNEZ-GONZÁLEZ A.E., SOTO URUETA J.A., SUÁREZ-PARRA R., J. Crystal Growth, 192 (1998), 430.
  • [19] CHATELON J.P., TERRIER C., BERNSTEIN E., BERJOAN R., ROGER J.A., Thin Solid Films, 247 (1994), 162.
  • [20] VANDER P., Philips Res. Repts., 13 (1958), 1.
  • [21] AZAROFF L.V., Elements of X-ray Crystallography, McGraw Hill, New York, 1968.
  • [22] MINAMI T., SATO H., TAKAT A.S., OGAWA N., MOURI T., Jpn. J. Appl. Phys., 31 (1992) , L 1106.
  • [23] TAKADA S., J. Appl. Sci., 73 (1993), 4739.
  • [24] MATSUOKA M., HOSHI Y., NAOE M., J. Appl. Phys., 63 (1998), 2098.
  • [25] SARKAR A., GHOSH S., PAL A.K., Thin Solid Films, 204 (1991), 255.
  • [26] SZEYRBOWSKI J., DIETRICH A., HOFFMANN H., Phys. Stat. Sol. a,78 (1983), 243.
  • [27] MINAMI T., YAMAMOTO T., MIYATA T., Thin Solid Films, 64 (2000), 63.
  • [28] TANG W., CAMERON D.C., Thin Solid Films, 238 (1994), 83.
  • [29] MINAMI T., NANTO H., TAKATA S., Jpn. J. Appl. Phys., 71 (1992), 880.
  • [30] MOSS T.S., Proc. Phy. Soc. London., B 67 (1954), 775.
  • [31] DIETZ R.E., HOPFIELD J.J., THOMOS G.D., J. Appl. Phys., 32 (1961), 2282.
  • [32] AUVERGNE D., CAMASSEL J., MATHIEU H., Phys. Rev. B, 11 (1975), 2251.
  • [33] MINAMI T., YAMANISHI M., KAWAMURA T., KUBO U., Jpn. J. Appl. Phys., 15 (1976), 1117.
  • [34] WOLF P.A., Phys. Rev., 126 (1962), 405.
  • [35] MAJOR S., BANERJEE A., CHOPRA K.L., Thin Solid Films, 125 (1985), 179.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPW7-0011-0079
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.