A(III)B(V) detectors with graded active region

• Autorzy: Wośko M. , Paszkiewicz B. , Szyszka A. , Macherzyński W. , Radziewicz D. , Ściana B. , Paszkiewicz R. , Tłaczała M. , Sęk G. , Poloczek P. , Motyka M. , Misiewicz J.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Results of modelling and fabrication of photodetectors with composition graded active layers have been presented. Simulated and measured spectral characteristics of the proposed detectors have been shown. Advantages of such structures have been discussed with respect to conventional detectors with non-graded active areas as well as some technological problems of compositionally graded semiconductor layers.

Słowa kluczowe

EN

FGM; photodetector; compositionally graded material; epitaxy

• Wydawca: De Gruyter
• Czasopismo: Materials Science Poland
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 26, No. 1
• Strony: 87--94
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz.

Twórcy

autor

Wośko M.

autor

Paszkiewicz B.

autor

Szyszka A.

autor

Macherzyński W.

autor

Radziewicz D.

autor

Ściana B.

autor

Paszkiewicz R.

autor

Tłaczała M.

autor

Sęk G.

autor

Poloczek P.

autor

Motyka M.

autor

Misiewicz J.

• Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technlogy, ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

Bibliografia

• [1] ZHAO J., AI X., DENG J., WANG J., J. Europ. Ceram. Soc., 24 (2004), 847.
• [2] ICHINOSE N., MIYAMOTO N., TAKAHASHI S., J. Europ. Ceram. Soc., 24, (2004), 1681.
• [3] CHIN E.S.C., Mat. Sci. Eng. A, 259 (1999), 155.
• [4] KOVALENKO V.F., SHUTOV S.V., Semicond., 37 (2003), 38.
• [5] VASILYEV YU.B., SUCHALKIN S.D., POLKOVNIKOV A.S., ZEGRYA G.G., J. Appl. Phys., 93 (2003), 2349.
• [6] BAUMEISTER H., VEUHOFF E., POPP M., HEINECKE H., J. Cryst. Growth, 188 (1998), 266.
• [7] LEE B., BAEK J.H., Appl. Phys. Lett., 68(1996), 2973.
• [8] PIETERS B.E., ZEMAN M., VAN SWAAIJ R.A.C.M.M., METSELAAR W.J., Thin Solid Films, 451–452 (2004), 294.
• [9] MAHDJOUB A., ZIGHED L., Thin Solid Films, 476 (2005), 299.
• [10] MALACHOWSKI M.J., Solid State Electron., 42 (1998), 963.
• [11] WOSKO M., PASZKIEWICZ B., PIASECKI T., PASZKIEWICZ R., PRAŻMOWSKA J., SZYSZKA A., MACHERZYŃSKI W., TŁACZAŁA M., Proc. 12th Int. Conf. Applied Physics of Condensed Matter, (2006), 83.
• [12] ADACHI S., Properties of Aluminium Gallium Arsenide, INSPEC, London, 1993.
• [13] CHIANG P.K., CHU C.L., YEH Y.C.M., Photovoltaic Specialists Conference, Conference Record of the Twenty-Eighth IEEE, (2000), 1002–1005.
• [14] WOŚKO M., PASZKIEWICZ B., PIASECKI T., PASZKIEWICZ R., PRAŻMOWSKA J., SZYSZKA A., MACHERZYŃSKI W., TŁACZAŁA M., Proc. Int. Students and Young Scientists Workshop Photonics and Microsystems, (2006), 69–71.
• [15] PASZKIEWICZ B., PASZKIEWICZ R., WOŚKO M., RADZIEWICZ D., ŚCIANA B., SZYSZKA A., MACHERZYŃSKI W., TŁACZAŁA M., Vacuum, 82 (2007), 389.