Semiconductor heterostructures and device structures investigated by photoreflectance spectroscopy

Misiewicz, J.; Sitarek, P.; Sęk, G.; Kudrawiec, R.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Semiconductor heterostructures and device structures investigated by photoreflectance spectroscopy

Autorzy

Misiewicz J. , Sitarek P. , Sęk G. , Kudrawiec R.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Języki publikacji

Abstrakty

In this review paper, we present the photoreflectance spectroscopy as a powerful tool for investigations of bulk semiconductors and semiconductor heterostructures. We discuss the application of this spectroscopy technique to investigate various properties of semiconductors, including: the composition of multinary compounds, distribution of the built-in electric field and the influence of perturbation such as temperature, strain, pressure; low-dimensional structures such as quantum wells, multiple quantum wells and superlattices, quantum dots; and the structures of semiconductor devices like transistors and vertical/planar light emitting laser structures.

Słowa kluczowe

photoreflectance electric field low-dimensional structures semiconductor devices

Wydawca

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Czasopismo

Materials Science

Rocznik

2003

Tom

Vol. 21, No. 3

Strony

263--318

Opis fizyczny

Bibliogr. 160 poz.

Twórcy

autor

Misiewicz J.

Jan.Misiewicz@pwr.wroc.pl

Institute of Physics, Wrocław University of Technology, Poland

autor

Sitarek P.

Institute of Physics, Wrocław University of Technology, Poland

autor

Sęk G.

Institute of Physics, Wrocław University of Technology, Poland

autor

Kudrawiec R.

Institute of Physics, Wrocław University of Technology, Poland

Bibliografia

[1] Glembocki O.J, Shanbrook B.V., BottkaN., Beard W.T., Comas J., Appl. Phys. Lett., 46 (1985), 970.
[2] Glembocki O.J., Shanabrook B.V., Photoreflectance spectroscopy of microstructures, [in:] D.G. Seiler, C.L Littler. (Eds.), Semiconductors and Semimetals, Vol. 36, Academic Press, New York, 1992, p. 221.
[3] Pollak F.H., Glembocki O. J., Proc. SPIE, 946 (1988), 2.
[4] Pollak F.H., Qiang H., Yan D., Yin Y., Boccio V.T., Photonics Spectra, 27 (1993), 78.
[5] Pollak F.H., Modulation spectroscopy of semiconductors and semiconductor microstructures, [in:] M. Bałkański (Ed.), Handbook on Semiconductors, Vol. 2, Elsevier, Amsterdam, 1994, p. 527.
[6] Glembocki O.J., Proc. SPIE, 1286 (1990), 2.
[7] Misiewicz J., Sęk G., Sitarek P., Optica Applicata, 29 (1999), 327.
[8] Misiewicz J., Sitarek P., Sęk G., Opto-electr. Rev., 8 (2000), 1.
[9] Phillip H.R., Ehrenreich H., Phys. Rev., 129 (1963), 1550.
[10] Aspnes D.E., Studna A.A., Phys. Rev. B 7 (1973), 4605.
[11] Klar P.J., Townsley C.M., Wolverson D., Davies J.J., Ashenford D.E., Lunn B., Semicond. Sci. Technol., 10 (1995), 1568.
[12] Seraphin B.O., Bottka N., Phys. Rev., 145 (1966), 628.
[13] Aspnes D.E., Surface Sci., 37 (1973), 418.
[14] Aspnes D.E., Phys. Rev., 153 (1967), 972.
[15] Aspnes D.E., Handbook on Semiconductors, Vol. 2, [in:] M. Bałkański (Ed.), North Holland, Amsterdam, 1980, p. 109.
[16] Shanabrook B.V., Glembocki O.J., Beard W.T., Phys. Rev. B35 (1987), 2540.
[17] Huang Y.S., Qiang H., Pollak F.H., Lee J., Elman B., J. Appl. Phys., 70 (1991), 3808.
[18] Aspnes D.E., Phys. Rev. B10 (1974), 4228.
[19] Shen H., Pollak F.H., Phys. Rev. B42 (1990), 7097.
[20] Theis W., Sanders M., Leak G.D., Bajaj C.E., Morkoq H., Phys. Rev. B37 (1988), 3042.
[21] Glembocki O.J., Shanabrook B.V., Proc. SPIE, 794 (1987), 12.
[22] Markiewicz P., Report of the Institute of Physics WUT, SPR 287, (1995), in Polish.
[23] Shen H., Dutta M., Appl. Phys. Lett., 57 (1990), 587.
[24] Sydor M., Badakhshan A., J. Appl. Phys., 70 (1991), 2322.
[25] Misiewicz J., Zheng X.L., Becla P., Heiman D., Solid State Commun., 66 (1988), 351.
[26] Ishitani Y., Hamada H., Minagawa S., Yaguchi H., Shiraki Y., Jpn. J. Appl. Phys., 36 (1997), 6607.
[27] Shirakata S., Chichibu S.,Isomura S., Jpn. J. Appl. Phys., 36 (1997), 7160.
[28] Shirakata S., Chichibu S., Isomura S., Jpn. J. Appl. Phys., 36 (1997), 6645.
[29] Chichibu S. F., Tsukazaki A., Kawasaki M., Tamura K., Segawa Y., Sota T., Koinuma H., Appl. Phys. Lett., 80 (2002), 2860.
[30] Shan W., Little B.D., Song J.J., Feng Z.C., Shurman M., Stall R.A., Appl. Phys. Lett., 69 (1996), 3315.
[31] Sitarek P., Misiewicz J., Veje E., Proc. SPIE, 3725 (1999), 205.
[32] Sitarek P., Misiewicz J., Veje E., Adv. Mater. Opt. Electr., 10 (1999), 261.
[33] El Allali M., Sorensen C.B., Veje E., Tidemand-Petersson P., Phys. Rev. B 48 (1993), 4398.
[34] Peters L., Phaneuf L., Kapitan L.W., Theis W.M., J. Appl. Phys., 62 (1987), 4558.
[35] Lee C., Lee N.Y., Kim J.E., Park H.Y., Kwak D.H., Lee H.C., LimH., J. Appl. Phys., 77 (1995), 6727.
[36] Jezierski K., Sitarek P., Misiewicz J., Panek M., Ściana B., Korbutowicz R., Tlaczala M., Vacuum, 48 (1997), 277.
[37] Zhang X., Chua S.J., Liu W., Chong K.B., Appl. Phys. Lett., 72 (1998), 1890.
[38] Badakhshan A., Glosser R., Lambert S., J. Appl. Phys., 69 (1991), 2525.
[39] Varshni K.P., Physica, 34 (1967), 149.
[40] Lautenschlager P., Carriga M., Cardona M., Phys. Rev. B35 (1987), 9174.
[41] Lautenschlager P., Carriga M., Cardona M., Phys. Rev. B36 (1987), 4813.
[42] Shen H., Hang Z., Pan S.H., Pollak F.H., Woodall J.M., Appl. Phys. Lett., 52 (1988), 2058.
[43] Roppischer H., Stein N., Behn U., Novikov A.B., J. Appl. Phys., 76 (1994), 4340.
[44] Hang Z., Shen H., Pollak F.H., Solid State Commun., 73 (1990), 15.
[45] Pollak F.H., Proc. SPIE, 1361 (1991), 109.
[46] Hang Z., Yan D., Pollak F.H., Pettit G.D., Woodall J.M., Phys. Rev. B44 (1991), 10546.
[47] Chen J.H., Chi W.S., Huang Y.S., Yin Y., Pollak F.H., Pettit G.D., Woodall J.M., Semicon. Sci. Technol., 8 (1993), 1420.
[48] Chi W.S., Huang Y.S., Qiang H., Pollak F.H., Pettit D.G., Woodall J.M., Jpn. J. Appl. Phys., 33 (1994), 966.
[49] Kuan H., Su Y.K., Wu T.S., Huang Y.S., Cm W.S, Sol. State Electron., 39 (1996), 885.
[50] Bouamama K., Hórig W., Neumann H., Semicond. Sci. Technol., 13 (1998), 75.
[51] Bellani V., Amiotti M., Geddo M., Guizzetti G., Landgren G., Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 324 (1994), 225.
[52] Geddo M., Bellani V., Guizetti G., Phys. Rev. B50 (1994), 5456.
[53] Munoz M., Pollak F.H, Zakia M.B., Patel N. B., Herrera-Perez J. L., Phys. Rev. B62 (2000), 16600.
[54] Pal U., Herrera Perez J.L., Piqueras J., Dieguez E., Mater. Sci. Eng. B42 (1996), 297.
[55] Shen S.C., Zhang L.J., Lu W., Bicknell-Tassius R.N., Sol. State Electron., 37 (1994), 1087.
[56] Lin C.H., Singer K.E., Evans-Freeman J.H., Heath K., Missous M., Semicond. Sci. Technol., 12 (1997), 1619.
[57] Li C.F., Huang Y.S., Malikova L., Pollak F.H., Phys. Rev. B55 (1997), 9251.
[58] Glembocki O.J., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 160 (1990), 631.
[59] Sęk G., Talik S., Misiewicz J., Radziewicz D., Tlaczala M., Panek M., Korbutowicz R., Electron Technol., 30 (1997), 366.
[60] Sęk G., Misiewicz J., Radziewicz D., Tlaczala M., Panek M., Korbutowicz R., Vacuum, 50 (1998), 219.
[61] Fitzgerald E.A., Properties of Lattice-Matched and Strained Indium Galium Arsenide, [in:] P. Bhattacharaya (Ed.), IEE EMIS Datareviews Series 8, 1993, p. 6.
[62] Lastras-Martínez L.F., Chavira-Rodriguez M., Lastras-Martínez A., Balderas-Navarro R.E., Phys. Rev. B66 (2002), 075315.
[63] Lastras-Martínez A., Balderas-Navarro R.E., Lastras-Martínez L.F., Vidal M.A., Phys. Rev. B59 (1999), 10234.
[64] Andreani L.C., De Nova D., Di Lernia S., Geddo M., Guizetti G., Patrini M., Bocchi C., Bosacchi A., Ferrari C., Frenchi S., J. Appl. Phys., 78 (1995), 6745.
[65] Radhakrishnan K., Yoon S.F., Li H.M., Han Z.Y., Zhang D.H., J. Appl. Phys., 76 (1994), 246.
[66] Mo S., Peiner E., Bartels A., Tang G.P., Schlachetzki A., Kuzmenko R., Hildebrandt S., Schreiber J., Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996), 4238.
[67] Lee J.H., Jang K.S., Shin C.S., Park H.L., Kim T.W., J. Appl. Phys., 75 (1994), 8216.
[68] Han M.S., Kang T.W., Kim T.W., Solid. Sate Commun., 105 (1998), 709.
[69] Chichibu S., Shikanai A., Azuhata T., Sota T., Kuramata A., Horino K., Nakamura S., Appl. Phys. Lett., 68 (1996), 3766.
[70] Tchounkeu M., Briot O., Gil B., Alexis J.P., Aulombard R.L., J. Appl. Phys., 80 (1996), 5352.
[71] Shikanai A., Azuhata T., SotaT., Chichibu S., Kuramata A., Horino K., Nakamura S., J. Appl. Phys., 81 (1997), 417.
[72] Alemu A., Gil B., Julier M., Nakamura S., Phys. Rev. B57 (1998), 3761.
[73] Sitarek P., Kudrawiec R., Sęk G., Misiewicz J., Paszkiewicz R., Korbutowicz R., Paszkiewicz B., TlaczalaM., Mat. Sci. Eng. B82 (2001), 209.
[74] Kudrawiec R., Sęk G., Misiewicz J., Paszkiewicz R., Paszkiewicz B., Tlaczala M., Mat. Sci. Eng. B96 (2002), 284.
[75] Wang D.P., ShenT.L., Jpn. J. Appl. Phys., 33 (1993), 1253.
[76] Jezierski K., Misiewicz J., Markiewicz P., Panek M., Ściana B., Tlaczala M., Korbutowicz R., Phys. Stat. Sol. (a), 147 (1995), 467.
[77] Jezierski K., Sitarek P., Misiewicz J., Panek M., Ściana B., Korbutowicz R., Tlaczala M., Vacuum, 48 (1997), 277.
[78] Wang Z., Pan S., Huang S., Zhang C., Mu S., Zhou X., Jian J., Xu G., Chen Z., J. Phys. D: Appl. Phys., 26 (1993), 1493.
[79] Wang Z., Pan S., Mu S., Phys. Stat. Sol. (a), 140 (1993), 135.
[80] Jezierski K., Sitarek P., Misiewicz J., Panek M., Ściana B., Korbutowicz R., Tlaczala M., Acta Phys. Pol., 88 (1995), 751.
[81] Yoshita M., Takahashi T., Appl. Surf. Sci., 115 (1997), 347.
[82] Scheibler H.E., Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Terekhov A.S., Phys. Stat. Sol. (a), 152 (1995), 113.
[83] Wang D. P., Chen C. T., Appl. Phys. Lett., 67 (1995), 2069.
[84] Wang D.P., Chen C.C., Shen T.L., Hsu T.M., Lee W.C., J. Appl. Phys., 80 (1996), 6980.
[85] Nukeaw J., Matsubara N., Fujiwara Y., Takeda Y., Appl. Surf. Sei., 117/118 (1997), 776.
[86] Nukeaw J., Fujiwara Y., Takeda Y., Jpn. J. Appl. Phys., 36 (1997), 7019.
[87] Chang W.H., Hsu T.M., Lee W.C., Chuang R.S., J. Appl. Phys., 83 (1998), 7873.
[88] Nowaczyk M., Sęk G., Misiewicz J., Ściana B., Radziewicz D., Tłaczała M., Thin Solid Films, 380 (2000), 243.
[89] Yin X., Chen H.M., Pollak F.H., Chan Y., Montano P.A., Kirchner P.D., Pettit G.D., Woodall J.M., J. Vac. Sei. Technol., A10 (1992), 131.
[90] Oh Y.T., Byun S .C., Lee B.R., Kang T.W., Hong C.Y., Park S.B., Lee H.K., Kim T.W., J. Appl. Phys., 76 (1994), 1959.
[91] Yan D., Pollak F.H., Chin T.P., Woodall J.M., Phys. Rev. B52 (1995), 4674.
[92] Nakanishi H., Wada K., Walukiewicz W., J. Appl. Phys., 78 (1995), 5103.
[93] Mochizuki Y., Ishii T., Mizuta M., Mochizuki A., Langer J. M., Phys. Rev. Lett., 77 (1996), 3601.
[94] Lopez-Lopez M., Melendez-Lira M., Goto S., Appl. Phys. Lett., 71 (1997), 338.
[95] Lee W.C., Hsu T.M., Wang S.C., Chang M.N., Chyi J.I., J. Appl. Phys., 83 (1998), 486.
[96] Badakhshan A., England J.L., Thompson P., Cheung P., Yang C.H., Alavi K., J. Appl. Phys., 81 (1997), 910.
[97] Glembocki O.J., Tuchman J.A., Dagata J.A., Ko K.K., Pang S.W., Stutz C.E., Appl. Phys. Lett., 73 (1998), 114.
[98] Paget D., Kierren B., Houdre R., J. Vac. Sei. Technol. A16 (1998), 2350.
[99] Klar P.J., Grüning H, Güngerich M., Heimbrodt W., Koch J., Torunski T., Stolz W., Polimeni A., Capizzi M., Phys. Rev. B67 (2003), 121206(R).
[100] Kudrawiec R., Sęk G., Misiewicz J., Li L.H., Harmand J.C., Appl. Phys. Lett., 83 (2003), 1379.
[101] Cardona M., Modulation Spectroscopy, Academic Press, New York, 1969.
[102] Sitarek P., Sęk G., Misiewicz J., Cheng T.S., Vacuum, 50 (1998), 203.
[103] Sitarek P., Sęk G., Misiewicz J, Cheng T.S., Inst.Phys.Conf. Ser., 152 (1998), 657.
[104] Bastard G., Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures, Les Editions de Physique, Paris, 1992.
[105] Zucker J.E., Pinczuk A., Chemla D.S., Gossard A.C., Wiegmann W., Phys. Rev. B29 (1984), 7065.
[106] Song J.J., Yoon Y.S., Fedorowsky A., Kim Y.B., Schulman J.N., Tu C.W., Huang D.M., Morkec H., Phys. Rev. B 34 (1986), 8958.
[107] Reddy U.K., Ji G., Henderson T., Morkoc H., Schulman J.N., J. Appl. Phys., 62 (1987), 145.
[108] Ji G., Dobbelaere W., Huang D., Morkoc H., Phys. Rev. B39 (1989), 3216.
[109] Shen H., Pan S.H., Hang Z., Pollak F.H., Sacks R.N., Solid State Commun., 65 (1988), 929.
[110] Tseng S. M., Chen Y. F., Cheng Y. T., Hsu C. W., Huang Y. S., Lin D. Y., Phys. Rev. B64 (2001), 195311.
[111] Pan S.H., Shen H,, Hang Z., Pollak F.H., Zhuang W., XuQ., Roth A.P., MasutR.A., Lacelle C., Morris D., Phys. Rev. B38 (1988), 3375.
[112] Sęk G., Misiewicz J., Radziewicz D., Tłaczała M., Panek M., Korbutowicz R., Vacuum, 50 (1998), 199.
[113] Kudrawiec R., Sek G., Rudno-Rudziński W., Misiewicz J., Wójcik J., Robinson B.J., Thompson D.A., Mascher P., Acta Phys. Pol. A102 (2002), 649.
[114] Sitarek P., Ryczko K., Sęk G., Misiewicz J., Fischer M., Reinhardt M., Forchel A., Solid State Electr., 47 (2003), 489.
[115] Misiewicz J., Sitarek P., Ryczko K., Kudrawiec R., Fischer M., Reinhardt M., Forchel A., Microelectronics J., 34 (2003), 737.
[116] Heroux J. B., YangX., Wang W. I., J. Appl. Phys., 92 (2002), 4361.
[117] Kudrawiec R., Sęk G., Misiewicz J., Gollub D., Forchel A., Appl. Phys. Lett., (2003), in press.
[118] Kudrawiec R., Sęk G., RyczkoK., Misiewicz J., Sundgren P., Asplund C., Hammar M., Solid State Commun., 127 (2003), 613.
[119] Choulis S.A., Hosea T.J.C., Tomić S., Kamal-Saadi M., Adams A.R., O'Reilly E.P., Weinstein B.A., KlarP.J., Phys. Rev. B66 (2002), 165321-1.
[120] Kudrawiec R., Sęk G., Ryczko K., Misiewicz J., Forchel A., Superlattces and Microstructures, 32 (2002), 19.
[121] Wetzel C., Takeuchi T., AmanoH., AkasakiI., Phys Rev. B61 (2000), 2159.
[122] Wetzel C., Takeuchi T., AmanoH., AkasakiI., Phys Rev. B62 (2000), R13302.
[123] Sęk G., Ryczko K., Kubisa M., Misiewicz J., Koeth J., Forchel A., Opto-Electr. Rev., 7 (1999), 117.
[124] Sęk G., RyczkoK., Misiewicz J., Bayer M., Wang T., Forchel A., Acta Phys. Pol. A100 (2001), 417.
[125] Cho Y-H., Kim D-S., JheW., Appl. Phys. Lett., 78 (2001), 2306.
[126] Qiang H., Pollak F.H., Tang Y.S., Wang P.D., Sotomayor Torres C.M., Appl. Phys. Lett., 64 (1994), 2830.
[127] Gumbs G., Huang D., Qiang H., Pollak F.H., Wang P.D., Sotomayor Torres C.M., Holland M.C., Phys. Rev. B50 (1994), 10962.
[128] Wang D.P., Sotomayor Torres C.M., Holland M.C., Qiang H., Pollak F.H., Gumbs G., Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 324 (1994), 187.
[129] Klar P.J., Wolverson D., Ashenford D.E., Lunn B., Henning T., Semicond. Sei. Technol., 11 (1996), 1863.
[130] Ulrich C., Ves S., Goni A.R, Kurtenbach A., Syassen K, Eber l K., Phys. Rev. B52 (1995), 12212.
[131] Sęk G., Misiewicz J., Ryczko K., Kubisa M., Heinrichsdorff F., Stier O., Bimberg D., Solid State Commun., 110 (1999), 657.
[132] Sęk G., Ryczko K., Misiewicz J., Bayer M., Klopf F., Reithmaier J. P., Forchel A., Solid State Commun., 117 (2001), 401.
[133] Misiewicz J., Sęk G., Kudrawiec R., Current Appl. Phys., (2003), in press.
[134] Soares J.A.N.T., Beliaev D., Enderlein R., Scolfaro L.M.R., Saito M., Leite J.R., Mat. Sei. Eng., B35 (1995), 267.
[135] Enderlein R., Phys. Stat. Sol. (b), 194 (1996), 257.
[136] Sęk G., Misiewicz J., Cheng T.S., Adv. Mater. Opt. Electron., 7 (1997), 241.
[137] Yin Y., Qiang H., Pollak F.H., Streit D.C., Wojtowicz M., Appl. Phys. Lett., 61 (1992), 1579.
[138] Yin Y., Qiang H., Yan D., Pollak F.H., Noble T.F., Semicond. Sei. Technol., 8 (1993), 1599.
[139] Han A.C., Wojtowicz M., Pascua D., Block T.R., Streit D.C., J. Appl. Phys., 82 (1997), 2607.
[140] Bottka N., Gaskill D.K., Wright P.D., Kaliski R.W., Wiliams D.A., J. Cryst. Growth, 107 (1991), 893.
[141] Sun W.D., Pollak F.H., J. Appl. Phys., 83 (1998), 4447.
[142] Yan D., Pollak F.H., Boccio V.T., Lin C.L., Kirchner P.D., Woodall J.M., GeeR.C., Asbeck P.M., Appl. Phys. Lett., 61 (1992), 2066.
[143] HsuK.T., Chen Y.H., ChenK.L., Lin H.H., Jan G.J., Appl. Phys. Lett., 64 (1994), 1974.
[144] Chen Y.H., Hsu K.T., Chen K.L., Lin H.H., JanG.J., Jpn. J. Appl. Phys., 33 (1994), 2448.
[145] Chen Y.H., Jan G.J., J. Appl. Phys., 77 (1995), 6681.
[146] Chen Y.H., Jan G.J., IEEE J. Quantum Electron., 33 (1997), 574.
[147] Chen K.L., Lin H.H., Jan G.J., Chen Y.H., Tseng P.K., J. Appl. Phys., 78 (1995), 4035.
[148] LinC. J., Huang Y. S., Li N. Y., LiP. W., Tiong K. K., J. Appl. Phys., 90 (2001) 4565.
[149] Berger P.D., Bru C., Benyatou T., Chenevas-Paule A., Grosse P., Proc. SPIE, 2397 (1995), 726.
[150] Berger P.D., Bru C., Benyatou T., Guillot G., Chenevas-Paule A., Couturier L., Grosse P., Appl. Phys. Lett., 68 (1996), 4.
[151] Klar P.J., Rowland G., Sale T.E., Hosea T.J.C., Grey R., Phys. Stat. Sol. (a), 170 (1998), 145.
[152] Klar P.J., Vincente P.M.A., Sale T.E., Hosea T.J.C., Adams A.R., Raymond A., Solid State Commun., 107(1998), 97.
[153] Ghosh S ., HoseaT.J.C., Constant S.B., Appl. Phys. Lett., 78 (2001), 3250.
[154] Klar P.J., Rowland G., Thomas P.J.S., Onischenko A., Sale T.E., Hosea T.J.C., Grey R., Phys. Rev. B59 (1999), 2894.
[155] Klar P.J., Rowland G., Thomas P.J.S., Onischenko A., Sale T.E., Hosea T.J.C., Grey R., Phys. Rev. B59 (1999,) 2902.
[156] Huang Y. S., Malikova L., Pollak F.H., Shen H., Pamulapati J., Newman P., Appl. Phys. Lett., 77 (2000), 37.
[157] Pollak F.H., Krystek W., Leibovitch M., Malikova L., Hybertsen M.S., Lum R., Vandenberg J.M., Reynolds C.L., Proc. SPIE, 2693 (1996), 455.
[158] Aigouy L., Pollak F.H., Gumbs G., Appl. Phys. Lett., 70 (1997), 2562.
[159] Choulis S.A., Tomi S., O'Reilly E.P., Hosea T.J.C., Solid State Commun., 125 (2003), 155.
[160] Kudrawiec R., Sęk G., Ryczko K., Rudno-Rudziński W., Misiewicz J., Wójcik J., Robinson B.J., Thompson DA., Mascher P., Physica E17 (2003), 602.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BPW7-0005-0088