Magnetronowa metoda otrzymywania cienkich warstw Zn-Bi-O

• Autorzy: Ziaja J.

Warianty tytułu

EN

Thin films Zn-Bi-O obtained by magnetron sputtering method

• Konferencja: V Konferencja Naukowa Postępy w Elektrotechnologii, Jamrozowa Polana, 8-10 września 2003 r.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono technologię otrzymywania cienkich warstw Zn-Bi-0 metodą rozpylania magnetronowego w atmosferze obojętnej i reaktywnej. Pokazano wpływ ciśnienia gazu roboczego i mocy wydzielonej na targecie na szybkość osadzania warstw na podłoża. Warstwy charakteryzują się silnie nieliniową charakterystyką prądowo-napięciową a napięcie zadziałania warystorów jest rzędu pojedynczych woltów.

EN

In this paper technology of preparing of Zn-Bi-0 thin layers by magnetron sputtering method in neutral and reactive atmosphere were presented. Influence of pressure of gas and an envolved power by target on rate deposition thin layers. Thin layers had a non-linear I-V chracteristic and a breakdown voltage of varystors is low.

Słowa kluczowe

PL

cienkie warstwy; magnetron; rozpylanie

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 38, nr 13
• Strony: 229--232
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys.

Twórcy

autor

Ziaja J.

• Instytut Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii, Politechnika Wrocławska

Bibliografia

• [1] VALEYEV Kh. S., KNAYAZEV V. A., DROZDOV N. G., Electrichestro, 4, 72 (1964).
• [2] KOSMAN M. S., PETTSOL'D E.G., Uch. Zap. Leningr. Gos. Pedagog Inst im A. I. Gertsena. 207, 191(1961).
• [3] MATSUOKA M., Nonohmic prperties of zinc oxide ceramics, Jpn. J. Appl. Phys. 10[6], 1971, pp. 736-746.
• [4] MIŚTA W., ZIAJA J., JAROSZEWSKI M., KACPRZYK R., Influence of reducing atmosphere on properties of Zn-Bi-O thin films arresters, Prz. Elektrotech. APTADM'2001, R. 77, pp 376-379.
• [5] ZIAJA J., JAROSZEWSKI M., GUBAŃSKI A., Wpływ wodoru na właściwości warstw Zn-Bi-O. Prz. Elektrotech. 2002 R. 78 nr 10, pp 305-307.
• [6] LIN Feng-Cang, TAKAO Y., SHIZIMU Y., EGASHIRA M., "Hydrogen-sensing mechanism of zinc oxide varistors gas sensing", Sensors and Actuators, 1995, B 24-25, ss. 843-850.
• [7] EGASHIRA M., SHIMIZU Y., TAKAO Y., FUKUYAMa Y., "Hydrogen — sensitive breakdown voltage in I-V characteristics of tin dioxide-based semiconductors", Sensors and Actuators, 1996, B 33, ss. 89-95.
• [8] BACHIR S., AZUMA K., KOSSANYI J., VALAT P., RONFARD-HARED J. C., Photoluminescsence of polycrystalline zinc oxide coactivated with trivalent rare earth ions and lithium, Insertion of rare-earth ions into zinc oxide, J. of Luminescsence 75, 1997, pp 35-49.
• [9] RONFARD-HARET J. C., KOSSANYI J., Electro- and fotoluminescence of Tm3+ ion in Tm3+ and Lt-doped ZnO ceramics. Influence of sintering temperature, Chemical Pysics 241, 1999, pp 339-349.
• [10] PURICA M., BUDIANU E, RUSU E., Heterojunction with ZnO polycrystalline thin films for optoelectronic devices application, Microelectronic Engineering, 51-52, 2000, pp 425-431.
• [11] TAKEHAMA M., NISSHINO T., SUGAWARA K., SUGAWARA T., Preparation of zinc oxide varistor by wet chemical method, Materials Science and Engineering, 1996, B412, pp.186-189.
• [12] WEIBENDRIEDER K. S., MOLLER J., „Conductivity model for sputtered ZnO-thin film gas sensors", Thin Solid Films, 1997, No 300, ss. 30-41
• [13] MAHMOOD F. S., GOULD R. D., HASSAN A. K., Salih H. M., Properties of Zno thin films prepared by magnetron sputtering, Thin Solid Fims, 1995, Nr 270, pp 376-379.
• [14] JAROSZEWSKI M., ZIAJA J., JUCHIM S., MIŚTA W.: "Properties of thin film arresters obtained by metal evaporation", Przegląd Elektrotechniczny, APTADM'200I, ss. 271-273.