Design considerations for GaAs/(AlGa)As SCH and GRIN-SCH quantum-well laser structures. II. The results

• Autorzy: Czyszanowski T. , Wasiak M. , Nakwaski W.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

A detailed optical model of complex multi-layered structures of the separate-confinement-heterostructure (SCH) lasers as well as graded-index (GRIN) SCH lasers presented in the first part of the paper is used to discuss some of the possible modifications of their structure to reduce room-temperature thresholds. Recommended design parameters have been found for each structure. Surprisingly, performance of relatively simple SCH lasers is found to be at least comparable with that of much more complex GRIN-SCH lasers.

Słowa kluczowe

EN

aluminium compounds; gallium arsenide; gradient index optics; III-V semiconductors; laser beams; quantum well laser; waveguide laser

PL

związki glinu; arsenek galu; III-V półprzewodnik; półprzewodniki III-V; wiązka laserowa; laser o studni kwantowej; laser; laser falowodowy

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Optica Applicata
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 31, nr 2
• Strony: 325--336
• Opis fizyczny: bibliogr. 21 poz.

Twórcy

autor

Czyszanowski T.

autor

Wasiak M.

autor

Nakwaski W.

• Instytut Fizyki Politechniki Łódzkiej, ul.Wólczańska 219,93-005 Łódź