Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
Some design modification and optimisation of the GaAs/(AlGa)As separate-confinement-heterostructure (SCH) as well as the graded-index separate-confinement-heterostructure (GRIN-SCH) semiconductor lasers are discussed to reduce their threshold concentrations at elevated temperatures. A detailed optical model of arsenide lasers is used to compare an impact of some structural details on lasing thresholds at various temperatures. In the analysis, both optical gain and losses are modelled rigorously. It has been demonstrated that operation of the arsenide lasers considered is not changing dramatically at elevated temperatures not exceeding 400 K.
Słowa kluczowe
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
301--311
Opis fizyczny
bibliogr. 12 poz.
Twórcy
autor
- Instytut Fizyki Politechniki Łódzkiej, ul.Wólczańska 219,93-005 Łódź
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPW3-0009-0045