In-plane uniaxial anisotropy rotations in (Ga,Mn)As thin films

• Autorzy: Sawicki M. , Wang K.-Y. , Edmonds K.W. , Campion R.P. , Staddon C.R. , Farley N.R.S. , Foxon C.T. , Dietl T. , Gallagher B.L.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Using SQUID magnetometry we find that in (Ga,Mn)As films the in-plane uniaxial magnetic easy axis is consistently associated with particular crystallographic directions. It can be rotated from the [-110] direction to the [110] direction by low temperature annealing and we show that this change is hole density related. We demonstrate that the magnitude of uniaxial anisotropy as well its dependence on the hole-concentration and temperature can be explained in terms of the p-d Zener model of the ferromagnetism assuming a small trigonal-like distortion.

Słowa kluczowe

EN

GaMnAs; magnetic anisotropy; ferromagnetic semiconductor; SQUID

PL

GaMnAs; anizotropia magnetyczna; półprzewodniki ferromagnetyczne; struktura cienkowarstwowa

• Wydawca: De Gruyter
• Czasopismo: Materials Science Poland
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 24, No. 3
• Strony: 627--631
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz.

Twórcy

autor

Sawicki M.

autor

Wang K.-Y.

autor

Edmonds K.W.

autor

Campion R.P.

autor

Staddon C.R.

autor

Farley N.R.S.

autor

Foxon C.T.

autor

Dietl T.

autor

Gallagher B.L.

• Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, al. Lotników 32/46, PL-02668 Warszawa,

Bibliografia

• [1] MATSUKURA F., OHNO H., DIETL T., III–V Ferromagnetic Semiconductors, [in:] Handbook of Magnetic Materials, Vol. 14, K.H.J. Buschow (Ed.), Elsevier, Amsterdam, 2002, p. 1–87; DIETL T., Semicond. Sci. Technol., 17 (2002), 377.
• [2] OHNO H., MATSUKURA F., OHNO Y., JSAP International, No. 5, January 2002, p. 4; WOLF S.A., AWSCHALOM D.D., BUHRMAN R.A., DAUGHTON J.M., VON MOLNAR S., ROUKES M.L., CHTCHELKANOVA A.Y., TREGGER D.M., Science 294 (2001), 1488; DIETL T., Acta Phys. Polon. A, 100 (suppl.), (2001), 139.
• [3] MUNEKATA H., ZASLAVSKY A., FUMAGALLI P., GAMBINO R.J., Appl. Phys. Lett., 63 (1993), 2929.
• [4] SHEN A., OHNO H., MATSUKURA F., SUGAWARA Y., AKIBA N., KUROIWA T., OIWA A., ENDO A., KATSUMOTO S., IYE Y., J. Cryst. Growth, 175/176 (1997), 1069.
• [5] LIU X., SASAKI Y., FURDYNA J.K., Phys. Rev. B, 67 (2003), 205204.
• [6] DIETL T., OHNO H., MATSUKURA F., CIBERT J., FERRAND D., Science, 287 (2000), 1019.
• [7] DIETL T., OHNO H., MATSUKURA F., Phys. Rev. B, 63 (2001), 195205; ABOLFATH M., JUNGWIRTH T., BRUM J., MACDONALD A.H., Phys. Rev. B, 63 (2001), 054418.
• [8] SAWICKI M., MATSUKURA F., IDZIASZEK A., DIETL T., SCHOTT G.M., RUESTER C., KARCZEWSKI G., SCHMIDT G., MOLENKAMP L.W., Phys. Rev. B, 70 (2004), 245325.
• [9] TANG H.X., KAWAKAMI R.K., AWSCHALOM D.D., ROUKES M.L., Phys. Rev. Lett., 90 (2003), 107201; HRABOVSKY D., VANELLE E., FERT A.R., YEE D.S., REDOULES J.P., SADOWSKI J., KANSKI J., ILVER L., Appl. Phys. Lett., 81 (2002), 2806.
• [10] WELP U., VLASKO-VLASOV V.K., LIU X., FURDYNA J. K., WOJTOWICZ T., Phys. Rev. Lett., 90 (2003), 167206.
• [11] EDMONDS K.W., BOGUSŁAWSKI P., GALLAGHER B.L., CAMPION R.P., WANG K.Y., FARLEY N.R.S., FOXON C.T., SAWICKI M., DIETL T., NARDELLI M.B., BERNHOLC J., Phys. Rev. Lett., 92 (2004), 037201.
• [12] WANG K.Y., EDMONDS K.W., CAMPION R.P., GALLAGHER B.L., FARLEY N.R.S., FOXON C.T., SAWICKI M., BOGUSŁAWSKI P., DIETL T., J. Appl. Phys. 95 (2004), 6512.
• [13] WANG K.Y., SAWICKI M., EDMONDS K.W., CAMPION R.P., GALLAGHER B.L., FARLEY N.R.L., FOXON C.T., DIETL T, in preparation.
• [14] SAWICKI M., WANG K-Y., EDMONDS K.W., CAMPION R. P., STADDON C. R., FARLEY N.R.S., FOXON C.T., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., DIETL T., GALLAGHER B. L., Phys. Rev. B, 71 (2005) 121302(R).
• [15] WELP U., VLASKO-VLASOV V.K, LIU X., FURDYNA J.K., WOJTOWICZ T., Appl. Phys. Lett., 85 (2004), 260.