PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Some expected extraordinary behaviours of nitride vertical-cavity surface-emitting lasers following from special features of nitride materials

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
In spite of dramatic efforts of numerous technological centres in the world, until now room-temperature continuous-wave operation of nitride diode vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSEL) has not been reported. It is probably associated with special features of nitride materials, which essentially distinguish them from other AIIIBV semiconductors. In this situation, technological centres need theoretical support to successfully design, modify and optimise possible structures of nitride VCSELs. Therefore, in the present paper, important mutual interactions between physical phenomena taking place inside nitride VCSELs and crucial for their operation are analysed. Some practical guidelines for nitride VCSEL designers are also drawn up.
Czasopismo
Rocznik
Strony
5--15
Opis fizyczny
Bibliogr. 32 poz., rys.
Twórcy
autor
  • Institute of Physics, Technical University of Łódź, ul. Wólczańska 219, 93-005 Łódź, Poland
  • Center for High Technology Materials, University of New Mexico, 1313 Goddard SE, Albuquerque, NM 87106, USA
  • Institute of Physics, Technical University of Łódź, ul. Wólczańska 219, 93-005 Łódź, Poland
  • Institute of Physics, Technical University of Łódź, ul. Wólczańska 219, 93-005 Łódź, Poland
autor
  • Institute of Physics, Technical University of Łódź, ul. Wólczańska 219, 93-005 Łódź, Poland
Bibliografia
  • [1] NAKAMURA S., FASOL G., The Blue Laser Diode, Springer, Berlin 1997.
  • [2] WENZEL H., WÜNSCHE H.J., IEEE J. Quantum Electron. 33 (1997), 1156.
  • [3] SONG Y.-K., DIAGNE M., ZHOU H., NURMIKKO A.V., SCHNEIDER JR., R.P., TAKEUCHI T., Appl. Phys.Lett. 77 (2000), 1744.
  • [4] PALIK E.D. [Ed.], Handbook of Optical Constants of Solids, Academic Press, Orlando 1985.
  • [5] BRUNNER D., ANGERER H., BUSTARRED E., FREUDENBERG F., HOEPLER R., DIMITROV R., AMBACHERO.,STUTZMANN M., J. Appl. Phys. 82 (1997), 5090.
  • [6] MANDY M., LEUNG Y., DJURISIC A.B., LI E.H., J. Appl. Phys. 84 (1998), 6312.
  • [7] BERGMANN M.J., CASEY, JR., H.C., J. Appl. Phys. 84 (1998), 1196.
  • [8] JIANG H.X., LIN J.Y., Appl. Phys. Lett. 74 (1999), 1066.
  • [9] FLORESCU D.I., ASNIN V.A., MOUROKH L.G., POLLAK F.H., MOLNAR R.J., WOOD C.E.C., J. Appl. Phys. 88 (2000), 3295.
  • [10] TANAKA T., WATANABE A., AMANO H., KOBAYASHI Y., AKASAKI I., YAMAZAKI S., KOIKE M., Appl. Phys. Lett. 65 (1994), 593.
  • [11] YOSHIDA S., MISAWASA S., GONDA S., Appl. Phys. Lett. 53 (1982), 6844.
  • [12] GÖTZ W., JOHNSON N.M., CHEN C., LIU H., KUO C., IMLER W., Appl. Phys. Lett. 68 (1996), 3144.
  • [13] SALA F.D., CARLO A.D., LUGLI P., BERNARDINI F., FIORENTINI V., SCHOLZ R., JANCU J.-M., Appl. Phys. Lett. 74 (1999), 2002.
  • [14] ZUKAUSKAS A., JURESENAS S., KURLICIK G., TAMULAITIS G., SHUR M.S., GASKA R., YANG J.W., KHANM.A., Phys. Status Solidi B216 (1999), 501.
  • [15] MAĆKOWIAK P., NAKWASKI W., J. Phys. D: Appl. Phys. 31 (1998), 2479.
  • [16] Ibidem, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3 (1998), Article 35.
  • [17] Ibidem, Opt. Quantum Electron. 31 (1999), 1179.
  • [18] Ibidem, Opt. Appl. 30 (2000), 125.
  • [19] Ibidem, J. Phys. D: Appl. Phys. 33 (2000), 642.
  • [20] Ibidem, J. Phys. D: Appl. Phys. 34 (2001), 954.
  • [21] CZYSZANOWSKI T., NAKWASKI W., J. Phys. D: Appl. Phys. 34 (2001), 1277.
  • [22] SARZAŁA R.P., MAĆKOWIAK P., NAKWASKI W., Semicond. Science Technol. 17 (2002), 255.
  • [23] MAĆKOWIAK P., NAKWASKI W., Opt. Appl. 32 (2002), 493.
  • [24] NAKWASKI W., MAĆKOWIAK P., WASIAK M., SARZAŁA R.P., CZYSZANOWSKI T., Phys. Status Solidi C 0 (2002), 48.
  • [25] MAĆKOWIAK P., SARZAŁA R. P., WASIAK M., NAKWASKI W., IEEE Photon. Techn. Lett. 15 (2003), 495.
  • [26] MAĆKOWIAK P., CZYSZANOWSKI T., SARZAŁA R. P., WASIAK M., NAKWASKI W., Opto-Electronics Rev. 11 (2003), 119.
  • [27] MAĆKOWIAK P., SARZAŁA R. P., WASIAK M., NAKWASKI W., J. Phys. D: Appl. Phys. 26 (2003) 2041.
  • [28] OSIŃSKI M., NAKWASKI W., [Chapter 5 in] Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Devices [Eds.]H. Li and K. Iga, Springer, Berlin 2003.
  • [29] DOMEN K., SOEJIMA R., KURAMATA A., HORINO K., KUBOTA S., TANAHASHI T., Appl. Phys. Lett. 73(1998), 2775.
  • [30] TESSLER N., EISENSTEIN G., IEEE J. Quantum Electron. 29 (1993), 1586.
  • [31] PARK S.-H., CHUANG S.-L., Appl. Phys. Lett. 72 (1998), 287.
  • [32] ZHAO G.Y., ISHIKAWA H., EGAWA G.YU.T., WATANABE J., SOGA T., JIMBO T., UMENO M., Appl. Phys. Lett. 73 (1998), 22.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPW1-0015-0001
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.