Numerical calculation of electron density distribution in modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures

• Autorzy: Szymański M. , Zbroszczyk M.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Electron density distribution in GaAs/AlGaAs heterostructure is calculated. In addition, the diagram of the conduction band edge is presented. The results were obtained through the self-consistent solution of one-dimensional Schrödinger–Poisson equations. For numerical calculations the finite-difference method with non-uniform mesh has been used.

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Optica Applicata
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 32, nr 3
• Strony: 529--534
• Opis fizyczny: bibliogr. 6 poz.

Twórcy

autor

Szymański M.

autor

Zbroszczyk M.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa