Photoreflectance study of AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD process

• Autorzy: Wójcik A. , Piwoński T. , Ochalski T.J. , Kowalczyk E. , Bugajski M. , Grzegorczyk A. , Macht Ł. , Haffouz S. , Larsen P.K.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In this paper we report the results of photoreflectance (PR) spectroscopy of GaN/AlGaN heterostructures used for realisation of high electron mobility transistors (HEMTs). For the proper operation of such structures a triangular quantum well created at the interface between GaN and AlGaN is required. Due to quantum confinement in this area 2DEG is created. The data obtained from PR technique allow to estimate a real shape of 2DEG confinement potential, what is necessary for verification of design and correctness of the growth process.

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Optica Applicata
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 32, nr 3
• Strony: 431--435
• Opis fizyczny: bibliogr. 4 poz.

Twórcy

autor

Wójcik A.

autor

Piwoński T.

autor

Ochalski T.J.

autor

Kowalczyk E.

autor

Bugajski M.

autor

Grzegorczyk A.

autor

Macht Ł.

autor

Haffouz S.

autor

Larsen P.K.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa