Forming the High quality CoSi2 by solid phase epitaxy

• Autorzy: Mazurek P. , Daniluk A. , Paprocki K.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Thin film of CoSi2 were grown on Si(111) by solid phase epitaxy (template technique) in UHV condition. We present a practical experimental procedure for the preparation of thin epitaxial films of cobalt silicide. Layers obtained by the deposition of metal on silicon (111) demonstrate a high-quality crystallographic structure. The state of the surface of growing layers is studied with the in situ combination of reflection high=energy electron diffraction (RHEED) azimuthal plots and rocking curve.

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Optica Applicata
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 32, nr 3
• Strony: 389--395
• Opis fizyczny: bibliogr. 10 poz.

Twórcy

autor

Mazurek P.

autor

Daniluk A.

autor

Paprocki K.

• Department of Experimental Physics, Institute of Physics, Maria-Curie Skłodowska University, pl. M.Curie-Skłodowskiej 1, 20-031 Lublin