Bonding with atomic rearrangement – new possibilities in material and devices technology

• Autorzy: Hruban A. , Strzelecka S. , Wegner E. , Pawłowska M. , Gładki A. , Stępniewski R. , Jasiński J. , Bożek R.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In this work we present the results of investigations into direct bonding of AIIIBV bulk wafers and/or epitaxial structures. A good quality junction of GaAs–GaAs, GaAs–InP, GaAs–GaP has been obtained. Bonding of GaAs/GaAlAs/GaAs epi-structures with GaAs bulk substrates enabled obtaining universal compliant substrates. On these substrates InAs epitaxial layers have been deposited. Properties of the structures have been examined by Nomarski microscopy, scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), atomic force microscopy (AFM) and X-ray diffractometry

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Optica Applicata
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 32, nr 3
• Strony: 355--364
• Opis fizyczny: bibliogr. 2 poz.

Twórcy

autor

Hruban A.

autor

Strzelecka S.

autor

Wegner E.

autor

Pawłowska M.

autor

Gładki A.

autor

Stępniewski R.

autor

Jasiński J.

autor

Bożek R.

• Institute of Electronics Materials Technology, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa