Optical gain saturation effects in InAs/GaAs self-assembled quantum dots

• Autorzy: Wasiak M. , Bugajski M. , Machowska-Podsiadło E. , Ochalski T. , Kątcki J. , Sarzała R.P. , Maćkowiak P. , Czyszanowski T. , Nakwaski W. , Chen J. X. , Oesterle U. , Fiore A. , Ilegems M.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

An attempt has been made to understand electronic structure and optical (lasing) properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QD) and to describe saturation effects in QD levels population. The new, improved rate equation model has been developed. The impact of carrier relaxation and level depopulation inside quantum dots on lasing properties, in particular on gain depressing, is discusse.

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Optica Applicata
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 32, nr 3
• Strony: 291--299
• Opis fizyczny: bibliogr. 6 poz.

Twórcy

autor

Wasiak M.

autor

Bugajski M.

autor

Machowska-Podsiadło E.

autor

Ochalski T.

autor

Kątcki J.

autor

Sarzała R.P.

autor

Maćkowiak P.

autor

Czyszanowski T.

autor

Nakwaski W.

autor

Chen J. X.

autor

Oesterle U.

autor

Fiore A.

autor

Ilegems M.

• Institute of Physics, Technical University of Łódź, ul. Wólczańska 219, 93-005 Łódź