Problemy technologiczne realizacji połączeń laserowych odprowadzeń od struktur półprzewodnikowych w modułach tranzystorów mocy.

• Autorzy: Kostrubiec F. , Pawlak R.

Warianty tytułu

EN

Technological problems in laser wire bonding of semiconductor structures in power transistor modules.

• Konferencja: IV Konferencja naukowa. Postępy w elektrotechnologii. Jamrozowa Polana, 14-15.09.2000 r.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W referacie zaprezentowano wybrane problemy technologiczne laserowego montażu wewnętrznego modułu tranzystorów IGBT. Badania wykazały, że technologia laserowa może być technologią alternatywną dla stosowanego aktualnie montażu ultrakompresyjnego. Ewentualne zastąpienie ultrakompresji technologią laserową zmusza jednakże do dokonania pełnych zmian w konstrukcji modułów, a także zastąpienia drutów aluminiowych stosowanych w ultrakompesji drutami z innych metali. Uzasadnienie takiego postępowania zostało wyjaśnione w referacie. Połączenia laserowe ze względu na odmienny ich charakter (połączenia spawane) charakteryzują się zdecydowanie lepszymi własnościami wytrzymałościowymi i lepszą odpornością klimatyczną. Wybrane wyniki badań właściwości tych połączeń zaprezentowano w referacie.

EN

Selected technological problems of laser internal assembling of IGBT transistor modules are presented. As was proved by investigations, the laser technology can be an alternative technology. to ultrasonic compression bonding. Possible replacement of the ultrasonic compression bonding by the laser technology compels to do some changes in the construction of the modules as well as the substitution of aluminum wires, used in the ultrasonic compression, by another metal wires. The pos. better strength properties and the better climate resistance because of the different nature of the welded junction characterize the laser connections. Selected results of the investigation of the properties of these connections are presented.

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
• Rocznik: 2000
• Tom: Vol. 37, nr 12
• Strony: 157--165
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz., tab.3, rys. 7,

Twórcy

autor

Kostrubiec F.

autor

Pawlak R.

• Zakład Materiałoznawstwa i Elektrotechnologii, Instytut Elektrotechniki Teoretycznej, Metrologii i Materiałoznawstwa Politechnika Łódzka