Poprawa stabilności parametrów elektrycznych warystora poprzez modyfikację przewodności jonowej tlenku bizmutu

• Autorzy: Mielcarek W. , Nowak-Woźny D. , Paściak G. , Prociów K.

Warianty tytułu

EN

Improvement of the stability of varistor electric properties bymodification of bismuth oxide ionic conductivity.

• Konferencja: IV Konferencja naukowa. Postępy w elektrotechnologii. Jamrozowa Polana, 14-15.09.2000 r.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Celem pracy jest poznanie wpływu dodatków modyfikujących przewodnictwo jonowe tlenku bizmutu na stabilność parametrów elektrycznych warystorów, a w dalszej perspektywie poprawa niezawodności i obniżka kosztów ich wytwarzania poprzez modyfikację składu i technologii produkcji. Do badań przewodności jonów tlenku wykonano próbki z domieszkowanym tlenkiem bizmutu. Dla zbadania wpływu domieszek na parametry elektryczne warystorów, wykonano pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych, starzeniowych ( w podwyższonej temperaturze 115 st. C) i impendancyjnych, a także wyznaczono skład fazowy próbek. Stwierdzono, że domieszkowanie ołowiem, strontem, manganem, antymonem oraz kobaltem umożliwia efektywne kształtowanie przewodnictwa jonowego tlenku bizmutu. W wyniku domieszkowania tlenkiem kobaltu uzyskano odmianę Y tlenku bizmutu zapobiegającą procesowi degradacji właściwości elektrycznych warystorów. Pozostałe domieszki nie powstrzymywały w pełni degradacji.

EN

In the pursuit of varistor reliability and economics, the work was aimed at improvement of the stability of varistor elec. properties by modifying bismuth oxide ionic conductivity with different metal additives. The influence of additives on the stability of varistor electrical properties was estd. By measuring the I-V characteristics before and after ageing at 115°C for 5 h. On the basis of impedance characteristics it was established that doping Bi2O3 with Pb, Sr, Mn, Sb, and Co enables one to effectively modify the bismuth oxide ionic cond. As it follows from XRD measurements, the Co addn. enables one to obtain the most desirable low-cond. crystal phase of Bi2O3 (g-form). The other additives were not capable to restrain the degrdn. of varistor elec. properties sufficientlyenough.

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
• Rocznik: 2000
• Tom: Vol. 37, nr 12
• Strony: 151--156
• Opis fizyczny: Bibliogr. 18 poz., tab. 5, rys. 3,

Twórcy

autor

Mielcarek W.

autor

Nowak-Woźny D.

autor

Paściak G.

autor

Prociów K.

• Instytut Elektrotechniki Oddział Technologii i Materiałoznawstwa Elektrotechnicznego