Laserowe wytwarzanie połączeń drutowych w tranzystorach mocy.

• Autorzy: Pawlak R.

Warianty tytułu

EN

Laser production of wire bonding in IGBT transistors.

• Konferencja: III Konferencja Naukowa: Postępy w Elektrotechnologii, Szklarska Poręba, 8-11 września 1998r.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono nową metodę wytwarzania wyprowadzen drutowych do struktur tranzystorów mocy. Jest ona szczególnie predestynowana do montażu wyprowadzen w tranzystorach IGBT, które nie mogą być wytwarzane jako 'large area device'. Nowa technologia to wysoce niezawodne, spawane laserem połączenie drutu do metalizacji struktury półprzewodnikowej. Ze względu na warunki termiczne połączenie spawane realizowane jest do płytki pośredniczącej, dołączonej do metalizacji inną metodą. Zaproponowano konfigurację połączenia spawanego oraz optymalny, z punktu widzenia nowej technologii, dobór materiałów na elementy połączenia. Przedyskutowano technologiczne aspekty wytwarzania połączeń wykonanych do półprzewodnikowych struktur testowych. Przeprowadzono badania metalograficzne.

EN

In the paper a new method for producing wire terminals from power transistor structures has been presented. The method is particularly useful for the assembly of terminals in IGBT transistors, which cannot be produced as large area devices. The new technology is highly reliable, laser-welded wire connection to the metallization of the semiconductor structure. In consideration of thermal conditions, the welding joint is made to the intermediate metallic plate bonded to the metallization by a different method. A configuration of the welding joint and an optimal - from the view point of new technology - selection of materials for the welding elements have been proposed. Technological aspects of producing connections made to the test semiconductor structures have been discussed. Metallographic investigations have been made. The first results of investigations have also been presented.

Słowa kluczowe

PL

tranzystory mocy; połączenia drutowe; laserowe wytwarzanie

EN

IGBT transistors; wire bonding; laser productin

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 34, nr 10
• Strony: 291--294
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., tab. 1, rys. 3

Twórcy

autor

Pawlak R.

• Politechnika Łódzka, Instytut Elektrotechniki Teoretycznej, Metrologii i Materiałoznawstwa.