Wpływ warunków wytwarzania na strukturę i własności termoelektryczne warstw Ge-Au.

• Autorzy: Beensh-Marchwicka G. , Mielcarek W. , Prociów E.

Warianty tytułu

EN

Influence of deposition conditions on structure and thermoelectric properties of Ge-Au films.

• Konferencja: III Konferencja Naukowa: Postępy w Elektrotechnologii, Szklarska Poręba, 8-11 września 1998r.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W niniejszej pracy opisano własności termoelektryczne i strukturę warstw germanowych otrzymanych w procesie rozpylania targetu dwuskładnikowego Ge-Au w układzie magnetronowym zasilanym impulsowo. Własności warstw analizowano jako funkcję domieszkowania złotem w ilości 2 i 5 %at oraz temperatury podłoża podczas kondensacji w zakresie 360-1040 K. Strukturę i skład fazowy warstw badano za pomocą dyfrakcji rentgenowskiej. Stwierdzono, że warstwy zawierają krystality obu faz: Ge o strukturze regularnej typu diamentu oraz Au o strukturze regularnej ściennie centrowanej. Współczynnik Seebecka i elektryczna konduktywność warstw rosły ze wzrostem temperatury podłoża podczas nanoszenia. Towarzyszył temu wzrost wymiarów krystalitów obu faz.

EN

The results of investigations concerning the structural and the thermoelectric properties of Ge-Au sputtered films under pulsed voltage operation of magnetron are described. The film properties are discussed as a function of doping with gold (2 and 5 at%)and the substrate temperature during deposition (360-1040 K). The structure and phase composition of the films were investigated by X-ray diffraction method. It has been found that almost all as-deposited films were policrystaline and contained crystallites of both Ge and Au phases. The Seeback coefficient and the electrical conductivity were observed to increase with increasing substrate temperature during sputtering. It was connected with the increase in the crystallite dimensions of both Ge and Au phases.

Słowa kluczowe

PL

warunki wytwarzania; struktura; własności termoelektryczne; warstwy Ge-Au

EN

deposition conditions; structure; thermoelectric properties; Ge-Au films

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 34, nr 10
• Strony: 141--144
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., tab. 1, rys. 3

Twórcy

autor

Beensh-Marchwicka G.

autor

Mielcarek W.

autor

Prociów E.

• Instytut Elektroniki, 50-950 Wrocław, ul. M. Curie-Skłodowskiej 55/61