Zależność napięcia przebicia warystora od morfologii ziaren ZnO.

• Autorzy: Mielcarek W. , Paściak G. , Prociów K.

Warianty tytułu

EN

Dependence of varistor breakdown voltage on the ZnO grain morphology.

• Konferencja: III Konferencja Naukowa: Postępy w Elektrotechnologii, Szklarska Poręba, 8-11 września 1998r.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Warystory, żeby spełniać swoje zadanie ochrony urządzeń przed przepięciami muszą mieć ściśle kontrolowaną wartość napięcia charakterystycznego (V1mA/mm)tzn. napięcia, które powoduje przepływ prądu 1mA na 1mm grubości warystora. W celu prześledzenia morfologii ziaren ZnO na wartość V1mA/mm wykonano dwa rodzaje ceramiki warystorowej opartej na dwóch tlenkach cynku, różniących się morfologią ziaren. Badania właściwości elektrycznych i fizycznych wytworzonych z nich warystorów doprowadziły do wniosku, że stosowanie przy produkcji warystorów ZnO o dużych zaglomerowanych ziarnach nie prowadzi do uzyskania gruboziarnistej ceramiki warystorowej, niezbędnej na warystory niskonapięciowe, gdyż ziarna te nie mają wystarczającej tendencji do wzrostu podczas spiekania. Jedynie drobne (1mm. i mniejsze) wzrastają podczas spiekania wystarczająco do zapewnienia niskiej wartości V1mA/mm w późniejszych warystorach.

EN

High - performance varistor are not possible without precisely controlled varistor breakdown voltage (V1mA/mm), the one which effects the passage of 1mA current per 1mm of varistor thickness. To study the influence of ZnO grain morfology on V1mA/mm value two varistor ceramics based on two various ZnO green powders were made. The examinations of fabricated varistors gave the evidence that the application of ZnO powder with big agglomerated grains does not lead to grain growth during the sintering of varistor. Just opposite: only small (1mm. and less), loose grains are able to grow during the sintering, what effects in low value of 1VmA/mm.

Słowa kluczowe

PL

warystor; napięcie przebicia; ziarna ZnO

EN

varistor; breakdown voltage; ZnO grains

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 34, nr 10
• Strony: 133--136
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., tab. 3, rys. 6

Twórcy

autor

Mielcarek W.

autor

Paściak G.

autor

Prociów K.

• Instytut Elektrotechniki, ul. Curie-Skłodowskiej 55/61, 50-369 Wrocław, Poland