Research into properties of power electronics devices made of silicon carbide sic, in conditions of commutating current with high frequency

• Autorzy: Michalski A. , Zymmer K.

Warianty tytułu

PL

Badania właściwości przyrządów energoelektronicznych wykonanych na bazie węglika krzemu w warunkach komutacji prądu z wysoką częstotliwością

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper presents results of measurements of the reverse recovery current and dynamic forward voltage of the SiC Schottky diodes at a current variation slope in a device, of 500 A/ s. These data were compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon diodes. Results of tests of power losses in diodes made of silicon carbide, at a current commutation frequency of (10 200) kHz are presented, comparing them with corresponding data determined for ultrafast silicon diodes. Test results of power losses in transistors constituting elements of d.c. voltage controllers are also shown. Investigations were conducted with an ultrafast SiC diode and with an ultrafast silicon diode at the transistor switching frequency of 100 kHz.

PL

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów przejściowego prądu wstecznego oraz dynamicznego napięcia przewodzenia diod Schottky`ego wykonanych na bazie węglika krzemu - SiC. Pomiary przeprowadzono przy stromości zmian prądu wynoszącej 500 A/žs. Wyniki te porównano z odpowiednimi rezultatami uzyskanymi dla ultraszybkiej diody krzemowej o takich samych parametrach napięciowo-prądowych. Przedstawiono także wyniki pomiarów strat mocy generowanych w tych diodach w warunkach komutacji prądu z częstotliwością zmienianą w granicach (10 ÷ 200) kHz. Artykuł zawiera również wyniki badań strat mocy wydzielanych w tranzystorze kluczującym z częstotliwością 100 kHz. Wyniki te dotyczą przypadków współpracy tranzystora w procesie komutacji prądu z ultraszybką diodą krzemową oraz z diodą SiC.

Słowa kluczowe

EN

semiconductor devices; silicon carbide; high frequency convertes

PL

przyrząd półprzewodnikowy; węglik krzemu; wielka częstotliwość

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
• Czasopismo: Prace Instytutu Elektrotechniki
• Rocznik: 2011
• Tom: Z. 253
• Strony: 61--71
• Opis fizyczny: Bibliogr., 10 poz., tab., rys.

Twórcy

autor

Michalski A.

autor

Zymmer K.

• Department of Power Converters Electrotechnical Institute,

Bibliografia

• 1. Barlik R., Rąbkowski J., Nowak M.: Power electronic systems with silicone carbide devices – present state and perspectives. VI Home Conference of Electronics, Darłówek, 2007.
• 2. Hancock J.M.: Novel SiC Diode Solves PFC Challenges. Materials of the firm Infineon Technologies. Power Electronics Technology/June 2006. www.powerelectronics.com.
• 3. Stuart Hodge Jr: SiC Schottky Diodes in Power Factor Correction. Power Electronics Technology/August 2004. www.powerelectronics.com.
• 4. Konczakowska A., Szewczyk A., Kraśniewski J., Oleksy M.: Measurements of parameters and static, dynamic, noise and thermal characteristics of SiC devices. VI Home Conference of Electronics, Darłówek, 2007.
• 5. Richmond J.: Hard-Switched Silicon IGBTs?. Cut Switching Losses In Half With Silicon Carbide Schottky Diodes. Materials of the firm CREE.
• 6. Ranbir Singh, Richmond J.: SiC Power Schottky Diodes in Power-Factor Correction Circuits. Materials of the firm CREE, www.cree.com/power.
• 7. Catalogue Chart of the firm APT – Phase Leg Series & SiC parallel diodes. Super Junction MOSFET Power Module – APTC60AM35SCT.
• 8. Catalogue Chart of the firm INFINEON – PrimePACK™2 with fast IGBT and SiC diode for high switching frequency – FF600R12IS4F.
• 9. www.cree.com
• 10. www.infineon.com.