Projekt, budowa i badania dławika o zredukowanej pojemności pasożytniczej uzwojeń dla przekształtnika typu DC/DC

• Autorzy: Zdanowski M. , Rąbkowski J. , Barlik R.

Warianty tytułu

EN

Design, construction and tests of inductor with reduced parasitic capacitance of windings for DC/DC converter

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule zaprezentowano nową metodę wykonywania elementów magnetycznych (dławików), charakteryzujących się zredukowaną wartością pojemności pasożytniczej uzwojeń. Przedstawiono różne metody pomiarowe tej wielkości oraz uzyskane wyniki obliczeń i pomiarów w przypadku dławika wykonanego zaproponowanym sposobem oraz w sposób klasyczny. Podano wyniki badań laboratoryjnych uwzględniających pracę obu elementów magnetycznych w układzie przekształtnika typu podwyższającego napięcie o mocy 2 kW, zbudowanego z łączników z węglika krzemu przełączanych z częstotliwością 100 kHz.

EN

In this paper novel method of preparing magnetic components (inductors) with reduced value of parasitic capacitance was presented. Different measurement methods of that magnitude and results obtained in use them with inductor made in proposed way and classical method were shown. The paper is illustrated by results of laboratory tests taking into account co-operation two different inductors (with high and optimalized parasitic capacitance) with 2 kW boost converter, made with Silicon Carbide semiconductors working with 100 kHz.

Słowa kluczowe

PL

pojemność pasożytnicza uzwojeń; elementy magnetyczne; węglik krzemu; przekształtnik podwyższający napięcie

EN

parasitic capacitance; magnetic components; silicon carbide; boost converter

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 12b
• Strony: 299--302
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Zdanowski M.

autor

Rąbkowski J.

autor

Barlik R.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej,

Bibliografia

• [1] Biela J.. Schweizer M.. Waffler S., Kolar J. W., SIC vs. Si-evaluation of potentials for performance improvement of inverter and DC-DC converter systems by SiC power semiconductors, IEEE Transactions on Industrial Electronics, Vol. 58, (July 2011) Iss. 7, 2872-2882
• [2] Peflitsis D„ Rabkowski J., Tolstoy G.. Nee H.-P., Experimental comparison of dc-dc boost converter with SiC JFETs and SiC bipolar transistors, Procedings (CD) of 1sth European Conference on Power Electronics and Applications, EPE’2011
• [3] Friedrichs P., Silicon carbide power semiconductors – new opportunities for high efficiency, 3-rd IEEE Conf. on Industrial Electronics and Applications ICIEA (2008), 1770-1774
• [4] Barlik R., Rąbkowski J., Nowak M„ Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice, Przegląd Elektrotechniczny, 82 (2006), nr 11, 1-8
• [5] Zdanowski M., Rąbkowski J., Barlik R., Analiza porównawcza strat mocy w trójfazowych falownikach PWM z elementami aktywnymi z węglika krzemu, Przegląd Elektrotechniczny, 87 (2011), nr 10, 101-105
• [6] Kim Y.J., Allen M. G., Integrated solenoid-type inductors for high frequency applications and their characteristics, Electronics Components and Technology Conference (1998), 1247-1252
• [7] Yu Q., Holmes W.T., Stray capacitance modeling of inductors by using finite element method, Electromagnetic Compatibility, (1999), 305-310
• [8] Massarini A., Kazimierczuk M. K., Self-capacitance of inductors, IEEE Trans, on Power Electronics, Vol. 12 (1997) no. 4, 671- 676
• [9] Dalessandro L., Silveira Calvalcante F., Kolar J.W., Self- capacitance of high voltage transformers, IEEE Trans. on Power Electronics, Vol. 22 (2007) no. 5, 2081-2092
• [10] Weber S., Schinkel M., Guttowskl S., John W., Reichl H., Calculating parasitic capacitance of three-phase common- mode chokes, PCIM Conference, Numberg, 2005
• [11] Konopiński T„ Pac R., Transformatory I dławiki elektronicznych urządzeń zasilających, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, 1979