PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Thermal analysis of the half-bridge IGBT power module with analytical, numerical and experimental methods

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Analiza cieplna półmostkowego modułu mocy IGBT metodami analitycznymi, numerycznymi i doświadczalnymi
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
This paper describes a thermal analysis of the half-bridge IGBT power module, which is mounted to the heat sink. Power dissipation of semiconductor devices gradually heats the power module up to the certain temperature. The main objective of this research is to calculate and verify the temperature rise of the system for different cases of power dissipation and torced cooling conditions. Temperature rise in the case when power dissipation achieves maximum can be predicted. Several solutions are proposed: analytical, numerical (tinite element methods) and experimental.
PL
Altykuł opisuje analizę cieplną półmostkowych modułów mocy IGBT zamontowanych do urządzeń grzejnych. Dyssypacja mocy urządzeń półprzewodnikowych stopniowo nagrzewa moduł mocy do pewnej temperatury. Głównym Selene tych badań jest obliczenie i weryfikacja wzrostu temperatury różnych systemów dyssypacji energii i wymuszonych warunków chłodzenia. Wzrost temperatury w przypadku kiedy dyssypacja energii osiąga maksimum może być przewidziany. Zaproponowano analityczne i numeryczne rozwiązania problemu.
Rocznik
Strony
145--148
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
autor
autor
Bibliografia
  • [1] SEMIKRON documentation on products for power module; series IGBT included.
  • [2] Stockmeier T., "From packaging to Un-Packaging – Treds in power semiconductor modules", Power Semiconductor Devices and IC's, ISPSD '08, 20th International Symposium, 2008.
  • [3] Lienhard IV J. H., Lienhard V J. H., A heat transfer textbook, Phlogiston Press, Cambridge, Massachusetts, USA, 2005.
  • [4] Yun C.S., Malberti P., Ciappa M., Fichlner W., „Thermal component model for electrothermal analysis of IGBT module systems", IEEE Transactions on Advanced Packaging, Vol. 24, No. 3, August 2001,401-406.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPS3-0020-0095
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.