Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu w przekształtnikach energoelektronicznych

• Autorzy: Michalski A. , Zymmer K.

Warianty tytułu

EN

Semiconductor devices on the base of the silicon carbide in power converter

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono informacje dotyczące zastosowań diod Schottky'ego wykonanych na bazie węglika krzemu SiC w układach energoelektronicznych przekształcających energię elektryczną z wysoką częstotliwością. Omówiono także oferowane obecnie moduły tranzystorowo-diodowe wykonane w całości z węglika krzemu. Omówiono zastosowania zestawów tranzystorowo-diodowych z diodami Schottky'ego SiC w przekształtnikach energoelektronicznych o częstotliwości łączeń 50÷200 kHz przeznaczonych dla grzejnictwa indukcyjnego. Przedstawiono wyniki porównawcze badań strat mocy w funkcji częstotliwości, generowanych w układzie przekształtnika z twardą komutacją prądu, przy zastosowaniu ultraszybkich diod krzemowych oraz diod Schottky'ego SiC.

EN

The paper presents information concerning the use of Schottky's diodes produced on the base of silicon carbide at high frequency converters. The transistor-diode SiC modules offered currently on the market have been discussed. The paper also presents the applications of the transistor-diode modules with SiC Schottky's diodes at the high frequency converters (50÷200 kHz) destined for metal induction heating. The comparable results of analyses of power losses versus frequency generated in a hard commutation converter with silicon or silicon carbide diodes are presented.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; półprzewodnikowe przyrządy mocy; dioda Schottky'ego; przekształtnik energoelektroniczny

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
• Czasopismo: Prace Instytutu Elektrotechniki
• Rocznik: 2010
• Tom: Z. 248
• Strony: 5--20
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz., rys.

Twórcy

autor

Michalski A.

autor

Zymmer K.

• Zakład Przekształtników Mocy, Instytut Elektrotechniki,

Bibliografia

• 1. Barlik R., Rąbkowski J., Nowak M.: Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice. Przegląd Elektrotechniczny, 2006-11.
• 2. Barlik R., Rąbkowski J., Nowak M.: Układy energoelektroniczne z przyrządami z węglika krzemu – stan obecny i perspektywy. VI Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłówek, 2007.
• 3. Bontemps S., Calmmels A., Round S.D., Kolar J.W.: Low profile power module combined with state of the art MOSFET switches and SiC diodes allows high frequency and very compact three-phase sinusoidal input rectifiers. Proc. of the Conf. for Power Electronics, (PCIM΄07), Nuremberg (Germany), 2007.
• 4. Hancock J.M.: Novel SiC Diode Solves PFC Challenges. Materiały firmy Infineon Technologies. Power Electronics Technology/June 2006. www.powerelectronics.com
• 5. Hodge S. Jr.: SiC Schottky Diodes in Power Factor Correction. Electronics Technology/August 2004. www.powerelectronics.com
• 6. Konczakowska A., Szewczyk A., Kraśniewski J., Oleksy M.: Pomiary parametrów i charakterystyk statycznych, dynamicznych, szumowych i termicznych przyrządów z SiC. VI Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłówek, 2007.
• 7. Lorenz L., Deboy G., Zverev I.: Matched Pair of CoolMOS Transistor With SiC-Schottky Diode. Advantages in Application. IEEE Transactions on Industry Applications, vol. 40, no. 5, Sept./Oct. 2005.
• 8. Michalski A., Zymmer K.: Badanie właściwości przyrządów energoelektronicznych z węglika krzemu w warunkach komutacji prądu z wysoką częstotliwością. Prace Instytutu Elektrotechniki 2009, zeszyt 243.
• 9. Michalski A., Zymmer K.: Właściwości diod Schottky΄ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii z wysoką częstotliwością. Elektronika, 2010 (przekazany do druku)
• 10. Ranbir Singh, Richmond J.: SiC Power Schottky Diodes in Power-Factor Correction Circuits. Materiały firmy CREE, www.cree.com/power.
• 11. Richmond J.: Hard-Switched Silicon IGBTs?. Cut Switching Losses In Half With Silicon Carbide Schottky Diodes. Materiały firmy CREE.
• 12. Supratim Basu, Tore M. Undeland.: Diode Recovery Characteristics Considerations for Optimizing EMI Performance of Continuous Mode PFC Converters. EPE’05, Dresden, Germany.
• 13. Zarębski J., Górecki K.: A Method of the Thermal Resistance Measurements of Semiconductor Devices with P-N Junction. Measurement, Vol.41, No.3, 2008, pp. 259-265.
• 14. Zarębski J., Górecki K.: A New Measuring Method of the Thermal Resistance of Silicon PN Diodes. IEEE Transaction on Instrumentation and Measurement, Vol. 56, No. 6, 2007, pp. 2788-2794.
• 15. Materiały informacyjne firmy Powerex.
• 16. Materiały informacyjne firmy Infineon.
• 17. Materiały informacyjne firmy Mikrosemi.