Wpływ modyfikowania Bi2O3 barem na właściwości mikrostruktury warystorów ZnO

• Autorzy: Warycha J. , Mielcarek W , Prociów K.

Warianty tytułu

EN

Effect of Ba modified Bi2O3 on microstructure properties of ZnO varistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Ba jako dodatek modyfikujący Bi2O3 w ceramice z tlenku cynku umożliwia równomierne rozmieszczenie Bi w całym warystorze i hamuje tworzenie się aglomeratów Bi2O3 podczas spiekania warystora. Dzięki temu warystor osiąga doskonałe właściwości elektryczne a poziom domieszkowania ceramiki ZnO tlenkami innych metali może być znacznie obniżony. W najbardziej obiecującym przypadku, ilość Bi dodawanego do masy warystorowej była siedem razy mniejsza a całkowita ilość domieszek - trzy razy niższa w porównaniu do powszechnie stosowanego poziomu domieszkowania warystorów.

EN

Doping ZnO varistor ceramics with Ba modified Bi2O3, instead of pure Bi2O3, enables the uniform distribution of Bi in varistor body and restrains formation of the Bi2O3 agglomerates during varistor processing. As the result the varistor attains the excellent electrical properties at lower rate of metal oxide additives. In the most promising varistor composition the amount of Bi was seven times lower and the total of other dopants three times lower, than in varistors made by commonly used technology.

Słowa kluczowe

PL

BaBiO3-x; ZnO; warystory; mikrostruktura; właściwości elektryczne

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
• Czasopismo: Prace Instytutu Elektrotechniki
• Rocznik: 2010
• Tom: Z. 246
• Strony: 123--132
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Warycha J.

autor

Mielcarek W

autor

Prociów K.

• Pracownia Badań Strukturalnych, Instytut Elektrotechniki,

Bibliografia

• 1. Kosman M.S., Petcsold E.G.: O wozmoznosti izgotowlenija simietriczeskich varistorov iz okisi cinka c primiestju okosi bizmuta., Uczonyje zapiski LGPT im. A.I. Gercena 207 s. 191-96, 1961 r.
• 2. Wong J., Rao P., Koch E.F.: Nature of an intergranular thin-film phase in a highly nonohmic metal oxide varistor, J. Appl. Phys., 46 [4] p. 1827-30 , 1975 r.
• 3. Wong J.: Sintering and varistor characteristics of ZnO-Bi2O3., J. Apll. Phys., 51 [8] p .4453-59, 1980 r.
• 4. Barsoum M.W., Elkind A.: Low breakdown voltage varistors by grain boundary diffusion of molten Bi2O3 in ZnO., J. Am. Ceram. Soc. 79 [4] p.962-66, 1996 r.
• 5. Chu M-Y., De Jonghe L-C., Lin M. K. Lin F.J.: Pre-coarsening to improve microstructure and sintering of powder compacts., J. Am. Ceram. Soc. 74 [11] p. 2902-11, 1991 r.
• 6. Olsson E., Dunlop G.L.: The effect of Bi2O3 content on the microstructure and electrical properties of ZnO varistor materials., Department of Phisics. Chalmers University of Technology., Goteborg S-412 96.
• 7. Luo J., Wang H., Chiang Y-M.: Origin of solid-state activated sintering in Bi2O3 doped ZnO. J. Am. Ceram. Soc. 82 [4] p. 916-20, 1999 r.
• 8. Lee J.R., Chiang Y.M.: Bi segregation at ZnO grain boundaries in equilibrium with Bi2O3-ZnO liquid., Solid State Ionics 75 p. 79-88, 1995 r.
• 9. Mielcarek W., Bernik S., Prociów K.: Peculiarities of ZnO – based varistor ceramics doped with Ba-Bi compounds Second International Conference on Advances in Processing, Testing and Application of Dielectric Materials, APTADM 2004, Wrocław, 15-17 September 2004 r.
• 10. Mielcarek W., Prociów K., Warycha J: „ZnO varistors with nanometr intergranular layer”, 31 st International Convention MIPRO 2008, Opatija, Croatia 26-30.05.2008 r.