Badania właściwości przyrządów energoelektronicznych z węglika krzemu (SIC) w warunkach komutacji prądu z wysoką częstotliwością

• Autorzy: Michalski A. , Zymmer K.

Warianty tytułu

EN

Investigations into properties of power electronics devices made of silicon carbide in conditions of commuting currents with high frequency

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono właściwości materiałów półprzewodnikowych nowej generacji ze szczególnym uwzględnieniem węglika krzemu. Przedstawiono wyniki pomiarów przejściowego prądu wstecznego i dynamicznego napięcia przewodzenia przy stromości zmian prądu w przyrządzie wynoszącej 500 A//µs. Porównano te dane z odpowiednimi parametrami określonymi dla ultraszybkich diod krzemowych. Przedstawiono wyniki badań strat mocy w diodach z węglika krzemu przy komutacji prądu z częstotliwością (10 ÷ 200) kHz, porównując je z odpowiednimi danymi określonymi dla szybkich diod krzemowych. Przedstawiono także wyniki badań strat mocy w tranzystorze przełączającym z wysoką częstotliwością i współpracującym w procesie komutacji prądu z diodą z węglika krzemu i odpowiednio z diodą krzemową.

EN

The paper discusses properties of semiconductor materials of the new generation with particular consideration of silicon carbide. Measurement results of the reverse recovery current and the dynamic conduction voltage at current change slopes of 500 A/µs are presented. These data are compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon diodes. The results of investigations of the power losses which are generated at silicon carbide Schottky diodes at frequency (10 ÷ 200) kHz are presented. These power losses are composed to power losses generated in silicon diodes in the same conditions. Results of investigations into power losses in a transistor switching at high frequency and cooperating in the commutation process with a silicon carbide diode and a silicon diode respectively.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; półprzewodnikowe przyrządy mocy; dioda Schottky'ego

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
• Czasopismo: Prace Instytutu Elektrotechniki
• Rocznik: 2009
• Tom: Z. 243
• Strony: 5--26
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Michalski A.

autor

Zymmer K.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie, Zakład Przekształtników Mocy,

Bibliografia

• 1. R. Barlik, J. Rąbkowski, M. Nowak: Układy energoelektroniczne z przyrządami z węglika krzemu - stan obecny i perspektywy. VI Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłówek, 2007.
• 2. J. M. Hancock: Novel SiC Diode Solves PFC Challenges. Materiały firmy Infineon Technologies. Power Electronics Technology/June 2006, www.powerelectronics.com.
• 3. Stuart Hodge Jr: SiC Schottky Diodes in Power Factor Correction. Power Electronics Technology/August 2004, www.powerelectronics.com.
• 4. A. Konczakowska, A. Szewczyk, J. Kraśniewski, M. Oleksy: Pomiary parametrów i charakterystyk statycznych, dynamicznych, szumowych i termicznych przyrządów z SiC. VI Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłówek, 2007.
• 5. J. Richmond: Hard-Switched Silicon IGBTs?. Cut Switching Losses In Half With Silicon Carbide Schottky Diodes. Materiały firmy CREE, www.cree.com/power.
• 6. Ranbir Singh, J. Richmond: SiC Power Schottky Diodes in Power-Factor Correction Circuits. Materiały firmy CREE, www.cree.com/power.
• 7. Karta katalogowa firmy APT - Phase leg Series & SiC parallel diodes. Super Junction MOSFET Power Module - APTC60AM35SCT.
• 8. Karta katalogowa firmy INFINEON - PrimePACK™2 with fast IGBT2 and SiC diode for high switching frequency - FF600R12IS4F.
• 9. www.cree.com.
• 10. www.infineon.com.