Thin films of Ge/Si/C composition fabricated using RF PECVD technique and mixed organometallic precursors

• Autorzy: Rapiejko C. , Strojek M. , Szymanowski H. , Klimek L. , Gazicki-Lipman M.

Warianty tytułu

PL

Cienkie warstwy Ge/Si/C/H wytworzone przy użyciu techniki RF PECVD z mieszaniny związków organometalicznych

• Konferencja: Advanced Materials and Technologies, AMT'2004 : XVII Physical Metallurgy and Materials Science Conference (XVII; 20-24.06.2004; Łódź, Polska)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

An RF PECVD technique, with the use of a parallel plate RF plasma deposition reactor, was applied to deposit thin films of mixed germanium/silicon/carbon composition. As a source material a combination of organometallic precursor compounds, and namely a mixture of tetramethylgermanium (TMG) and tetramethylsilane (TMS) vapours carried by argon carrier gas, was applied. Scanning electron microscopy and adhesion measurements, using a scratch method, revealed a good quality of the resulting materials. Elemental composition of the films was studied using energy dispersive X-ray (EDX) analysis. Thickness and optical properties of the films were determined with the help of VASE ellipsometry. Both density data and optical gap results point to an organometallic plasma polymer character of the materials within the entire range of operational parameters used.

PL

Technika RF PECVD, wykorzystująca reaktor plazmowy o równoległych płaskich elektrodach, została zastosowana do wytwarzania cienkich warstw o mieszanej germanowo-krzemowo-węglowej kompozycji. Kombinacyjną mieszaninę związków organometalicznych, a dokładnie tetrametylogermanu (TMG) i tetrametylokrzemu (TMS) przenoszona przez gaz nośny (argon), wykorzystano jako materiał wyjściowy. Elektronowa mikroskopia scaningowa i pomiary adhezji przy użyciu metody rysy, ujawniły dobrą jakość otrzymywanych materiałów. Skład elementarny warstw zbadano używając metodę nalizy rentgenowskiej energii dyspersyjnej (EDX). Pomiary grubości i własności optycznych warstw zostały wykonane przy pomocy elipsometrii VASE. Zarówno dane dotyczące gęstości, jak i wyniki pomiarów przerwy optycznej wskazują na organometaliczny charakter polimerów plazmowych w całym zakresie użytych parametrów operacyjnych.

Słowa kluczowe

PL

cienka warstwa; RF PECVD; technika RF PECVD; związki organometaliczne; tetrametylogerman; tetrametylokrzem

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2004
• Tom: R. XXV, nr 3
• Strony: 312--315
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys.

Twórcy

autor

Rapiejko C.

• Institute for Materials Science and Engineering, Technical University of Lodz, Lodz

autor

Strojek M.

• Institute for Materials Science and Engineering, Technical University of Lodz, Lodz

autor

Szymanowski H.

• Institute for Materials Science and Engineering, Technical University of Lodz, Lodz

autor

Klimek L.

• Institute for Materials Science and Engineering, Technical University of Lodz, Lodz

autor

Gazicki-Lipman M.

• Institute for Materials Science and Engineering, Technical University of Lodz, Lodz

Bibliografia

• [1] J. Bullot, M.P. Schmidt, Phys. Stat. Soi. (b), 143 (1987) 345
• [2] W. Luft, Y.S. Tsuo, Hydrogenated Amorphous Silicon Alloy Deposition Processes, Marcel Dekker, New York 1993.
• [3] C. Rapiejko, R. Mazurczyk, M. Gazicki-Lipman, A. Werbowy, 45th Ann. SVC Tech. Con. Proc. Lakę Buena Yista 2001, p. 372.
• [4] J. Shinar, H.S. Wu, R. Shinar, H.R. Shanks, J. Appl. Phys., 62 (1987)808.
• [5] T. Driisedau, A. Annen, B. Schróder, H. Freistadt, Phil. Mag. B, 69 (1994) 1.
• [6] Y. Catherine, G. Turban, Thin Solid Films, 70 (1980) 101.
• [7] A.M. Wróbel, M. Wertheimer, chapter 3 in: R. d'Agostino (Ed.) Plasma Deposition, Treatment and Etching of Polymers, Academic Press, Boston 1982
• [8] M. Gazicki, chapter 2 in: S. Mitura (Ed.) Nanotechnology in Materiał Science, Elsevier, Amsterdam 2000
• [9] H. Kurata, M. Ohfuti, T. Futatsugi, Thin Solid Films 369 (2000) 217.
• [10] W.T. Hsieh, Y.K. Fang, S.F. Ting, Y.S. Tsair, W.J. Lee, H. P. Wang, Solid State Electronics, 46 (2002) 1949.
• [l1] D.W. Greve, Mat. Sci & Eng., B87 (2001) 271.
• [12] M. Gazicki, H. Schalko, P. Svasek, F. Olcaytug, F. Kohl, J. Vac. Sci. Technol.,A10(1992)51.
• [13] F.A. Cotton, G.Wilkinson, Advanced Inorganic Chemistry, 3rd edition, J Wiley& Sons 1972